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题名提高晶闸管di/dt能力的研究
被引量：1
- 1
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作者
高占成
潘福泉
关艳霞
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机构
北京东菱宏博电气科技发展有限公司
沈阳工业大学信息科学与工程学院
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出处
《电力电子》
2013年第3期25-28,24,共5页
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文摘
从di/dt损坏机制、定量公式入手,分析了国内外有关di/dt的著作、文章,研究了提高晶闸管器件di/dt能力的各种有效方法,给出了一个常规新设计及其研究成果。
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关键词
晶闸管
DI
dt能力
放大门极
短路点
扩展速度
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分类号
TN386.2
[电子电信—物理电子学]
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题名PiN二极管通态模拟函数的研究
- 2
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作者
矫健
揣荣岩
高占成
潘福泉
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机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院
北京东菱宏博电气科技发展有限公司
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出处
《变频技术应用》
2012年第1期49-53,共5页
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文摘
叙述了研究功率半导体器件通态特性的重要性，在分析国际三大著名通态伏安特性公式的基础上，说明了通态模拟函数的理论依据及运用matlab程序的制作方法，阐述了采用通态模拟函数的现实意义。
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关键词
PIN二极管
通态特性
模拟函数
matlab方法
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分类号
TM46
[电气工程—电器]
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题名PiN二极管通态模拟函数的研究
被引量：1
- 3
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作者
高占成
矫健
潘福泉
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机构
北京东菱宏博电气科技发展有限公司
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出处
《电源技术应用》
2013年第3期45-50,共6页
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文摘
叙述了研究功率半导体器件通态特性的重要性，在分析国际三大著名通态伏安特性公式的基础上，说明了通态模拟函数的理论依据及运用maflab程序的制作方法，阐述了采用通态模拟函数的现实意义。
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关键词
PIN二极管
通态特性
模拟函数
matlab方法
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Keywords
PiN rectifier diode, on state characteristic, simulation function, matlab program.
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分类号
TM614
[电气工程—电力系统及自动化]
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题名提高晶闸管di/dt能力的研究
被引量：1
- 4
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作者
高占成
潘福泉
关艳霞
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机构
北京东菱宏博电气科技发展有限公司
沈阳工业大学信息科学与工程学院
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出处
《电源世界》
2014年第5期44-47,39,共5页
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文摘
从di/dt损坏机制、定量公式入手,分析了国内外有关di/dt的著作、文章,研究了提高晶闸管器件di/dt能力的各种有效方法,给出了一个常规新设计及其研究成果。
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关键词
晶闸管
DI
dt能力
放大门极
短路点
扩展速度
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Keywords
Thyristor, di/dt Ability
Enlarged gate pole, Short dot, Developed speed
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分类号
TN34
[电子电信—物理电子学]
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