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题名存储器循环擦写耐久性与数据保持可靠性
被引量:3
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作者
董燕
蒋玉茜
王西国
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机构
北京中电华大电子设计有限责任公司/射频识别芯片检测技术北京市重点实验室
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出处
《中国集成电路》
2022年第3期85-89,共5页
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文摘
工艺能力的不断提升使得高密度大容量存储器成为可能,伴随着存储器单元尺寸和芯片面积的不断缩小,介电质绝缘层厚度随之变薄,可靠性窗口不断变小,存储器循环擦写耐久性与长时间数据保持等可靠性问题变得敏感突出,面临严峻挑战。循环擦写耐久性评估存储器的可反复擦写性能,数据保持测试表征存储器在不带电或带电情况下长时间数据保持能力,考核浮栅存储电荷的保持能力。文章通过对存储器擦写耐久性和数据保持测试数据的分析比较,初步探讨了两者的失效机理,最后介绍了影响存储器擦写耐久性和数据保持能力的其他可能因素。
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关键词
存储器
循环擦写耐久性
数据保持能力
可靠性
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Keywords
FLASH Memory
Program/Erase
endurance
Data Retention
Reliability
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分类号
TP333
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名SIM卡失效机理研究
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作者
杜新
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机构
北京中电华大电子设计有限责任公司/射频识别芯片检测技术北京市重点实验室
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出处
《中国集成电路》
2022年第3期75-79,共5页
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文摘
SIM卡在生产、封装及客户使用过程中通常会出现不同类型的失效模式,导致其功能和性能出现异常,直接影响到SIM卡的正常使用。本文主要针对几种常见的SIM卡失效机理进行研究,明确了SIM卡失效的根本原因,并提出了有效的改进方案,从而提高了SIM卡的健壮性和可靠性。
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关键词
失效模式
失效机理
SIM卡
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Keywords
failure mode
failure mechanism
improvement scheme
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分类号
TN40
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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