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题名一种通道复用的高可靠性隔离IGBT栅极驱动器
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作者
张龙
马春宇
赵以诚
张峰
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机构
中国科学院自动化研究所国家专用集成电路设计工程技术研究中心
北京中科格励微科技有限公司模拟开发中心
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出处
《微电子学与计算机》
2023年第4期80-87,共8页
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文摘
采用SIMC 0.18 um BCD工艺,设计一种输出电流2 A,隔离电压5 kV,CMTI为100 kV/us的单通道隔离IGBT栅极驱动器,该IGBT栅极驱动器集成双侧欠压保护、退饱和保护,具有高可靠性.为节省芯片面积和成本,提出一种通道复用技术,将高压侧退饱和状态监测信号(FLTH)和欠压闭锁状态监测信号(RDH)编码后使用一个数字隔离通道同时传输至低压侧,简化电路结构,节省芯片面积约10%.当发生欠压闭锁时,隔离式IGBT栅极驱动器不工作;当未发生欠压闭锁时,可以通过编码信号的脉冲宽度来区分是否发生退饱和状态.仿真与测试结果表明:采用通道复用技术可以准确的将高压侧的退饱和状态监测信号和欠压闭锁状态监测信号传输至低压侧.
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关键词
通道复用
退饱和
欠压闭锁
IGBT隔离栅极驱动器
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Keywords
Channel Multiplexing
Desaturation
Under-Voltage Lockout
isolated IGBT Gate Driver
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分类号
TN335
[电子电信—物理电子学]
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题名一种高集成低辐射的隔离DC-DC变换器
被引量:1
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作者
杨靖
马春宇
孙瑞亭
张峰
费健
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机构
中国科学院自动化研究所
北京中科格励微科技有限公司模拟开发中心
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出处
《微电子学与计算机》
2023年第9期114-118,共5页
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文摘
通过MEMS工艺与0.18 um BCD工艺的深度融合,设计了一种基于片上变压器的两芯片集成式隔离DCDC变换器.该隔离DC-DC变换器隔离耐压5 kVrms,输入电压为3 V-5.5 V,输出电压3.3 V/5 V,峰值效率和最大输出功率分别为29%和0.5 W,SOP-8封装,体积为7.67 mm*5.8 mm*1 mm.采用随机跳频技术,通过5-bit跳频模块控制振荡器的谐振频率在145 MHz-195 MHz范围内随机切换,从而降低其电磁辐射,测试表明辐射峰值最大降低25 dBuV.
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关键词
自适应栅极控制
高度集成
随机跳频
隔离DC-DC变换器
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Keywords
Adaptive Gate control
Highly integration
Random frequency hopping
Isolated DC-DC converter
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分类号
TN335
[电子电信—物理电子学]
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题名一种高速施密特触发器的设计
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作者
孙建民
闫江
张龙
赵以诚
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机构
贵州大学大数据与信息工程学院
北方工业大学信息学院
北京中科格励微科技有限公司
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出处
《电子技术应用》
2022年第2期28-31,共4页
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文摘
在数字隔离器系统中,因为存在电路寄生效应和随机噪声,数字信号的波形会发生严重畸变。针对该问题,提出了一种电压—电流模式高速施密特触发器,该电路能有效还原信号的波形。电路主体结构采用电流放大器和跨导运算放大器相结合,在输入高速数据时,电流放大器提供了快速的前馈通路来增加比较器的响应速度,实现施密特触发器的高速翻转。设计采用GF_0.18μm_BCD工艺,在电源电压5 V的条件下,可实现500 MHz高速信号的整形,信号的传输延时为652 ps。
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关键词
施密特触发器
跨导运算放大器
电流放大器
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Keywords
Schmitt trigger
transconductance operational amplifier
curent amplifier
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分类号
TN409
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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