用吸收差谱研究电子俘获材料的光激励发光

以SrS:Eu,Sm为例说明可以利用电子俘获材料在光激发前后的吸收谱的差别来获取电子俘获材料光激励发光的信息。电子俘获材料在激发后的吸收光谱同时包含了不同陷阱(杂质)对光激励的吸收情况。因此激发前后的吸收光谱差(吸收差谱)除了能给出与光激励谱相同的信息外,还包含空穴陷阱的激励,光存储总量等信息,因此有助于更全面地了解材料的光激励发光过程。

水热法合成稀土氟化物材料YLiF_4:Er,Tm,Yb的上转换发光特性

利用水热法合成了不同掺杂浓度Er3+ ,Tm3+ 和Yb3+ 的YLiF4 材料,研究了Er3+ ,Tm3+ 和Yb3+ 在材料中的光吸收,以及在980nm红外光激发下样品的上转换发光特性。实验发现,在980nm激光激发下,光功率为数10mW ,材料可以发出很强的白光。测量发现,蓝光来源于Tm3+ ,绿光来源于Er3+ ,而红光来源于Tm3+ 和Er3+ 的共同作用。通过分析输出光强与泵浦功率的双对数曲线,发现4 84nm蓝光发射,5 2 4和5 5 2nm绿光发射以及6 6 5nm红光发射均属于双光子过程,4 5 0nm蓝光和35 9nm紫外光属于三光子过程。分析发光机理属于协作敏化和声子辅助共振能量传递过程的结合。

水热合成稀土氟化物材料YLiF_4∶Yb,Tm的上转换发光特性

利用水热法合成了掺杂Tm3+ 和Yb3+ 的YLiF4 材料 ,并研究了Tm3+ 和Yb3+ 在材料中的光吸收 ,以及 980nm红外光激发下不同Tm3+ 浓度掺杂下的上转换发光特性。实验发现 ,在 980nm激光激发下 ,材料可发出可见光。上转换发光光谱中包括蓝光和红光。与蓝光相比 ,红光强度要弱 1～ 2个数量级。上转换发光强度和浓度关系研究显示 ,当Tm3+ 浓度为 0 .3 % (摩尔分数 )时上转换发光达到最强 ,大于 0 3 % (摩尔分数 )后发光开始减弱。通过分析输出光强与泵浦功率的双对数曲线 ,发现Tm3+ 的蓝光发射和红光发射均属于双光子过程。

Eu(BSA)_3phen与PVK共混体系的光致和电致发光特性的研究

合成了一类新型的以苯甲酰水杨酸(benzoylsalicylicacid,BSA)为第一配体,邻菲罗啉(1,10 phenanthroline,phen)为第二配体的稀土配合物Eu(BSA)3phen,将导电高分子材料PVK引入到配合物中,制成了结构为ITO/PVK∶RE配合物/LiF/Al的电致发光器件。通过测量电致发光和光致发光光谱,发现PVK∶RE配合物混合体系存在着能量传递,并对Eu(BSA)3phen与PVK共混体系的光致发光和电致发光机制进行了分析。同时比较了几种不同PVK掺杂浓度对于器件性能的影响。

铕镧共掺稀土配合物Eu_(0.5)La_(0.5)(TTA)_3phen与PVK共混体系发光特性的研究

合成了一种新型的稀土铕配合物Eu0.5La0.5(TTA)3phen,把它作为发光材料应用于有机电致发光中。把铕配合物与高分子导电聚合物共混制得混合溶液,然后用旋涂的方法制得了发光层。实验中制备了单层、双层器件,讨论了器件的优化条件,并用能级图探讨了Eu0.5La0.5(TTA)3phen与PVK共混体系光致、电致发光的能量传递机制。优化后的双层器件,开启电压为6.5 V,在电压12.5 V,电流密度为68.48mA.cm-2时器件达到最大亮度238.4 cd.m-2,发光效率0.35 cd.A-1。

苯甲酰水杨酸铽的合成与发光特性研究

合成了一类以苯甲酰水杨酸(BenzoylSalicylicAcid,BSA)为配体的稀土铽配合物,将导电高分子材料PVK引入到配合物中,制成了结构为ITO PVK :Tb(BSA) 4 LiF Al的电致发光器件。并对该配合物的吸收特性及电致发光和光致发光性能进行了研究,实验数据表明,在PVK与Tb(BSA) 4之间存在着能量传递,在电致发光中,PVK的发光完全被抑制,这与光致发光的表现不同,这是由于两种发光(光致和电致)机理不同造成的。文章同时比较了几种不同PVK掺杂浓度对于器件性能的影响。

PVK:TPB掺杂体系稳态光谱的研究

研究了掺杂有机蓝光染料TPB的PVK薄膜的发光特性,通过对掺杂薄膜的吸收光谱、激发光谱及发射光谱的分析,研究了PVK与Alq3之间的能量传递规律。当掺杂浓度为5 %时,能量传递效率最高。用一个由单链模型扩展到包括杂质的哈密顿量对实验进行模拟,发现该模型能够较好地解释有关的实验结果。

稀土铽配合物TbY(m-MOBA)_6(phen)_2·2H_2O的有机电致发光单层器件的研究

将新型稀土配合物TbY(m MOBA)6(phen)2·2H2O掺杂到导电聚合物PVK中改善了铽配合物的成膜特性和导电性质。用此掺杂体系制作了单层发光器件,发现掺杂浓度为1∶5,甩膜转速为1000r·min-1时器件的发光效果最好,起亮电压为9V,最大亮度在17V时达到15.7cd·m-2。对比[Tb(m MOBA)3phen]2·2H2O的单层器件的发光,说明Y3+的存在促进了PVK到Tb3+的能量传递。

铽配合物TbY(o-MBA)_6(phen)_2与PVK掺杂体系的发光性质研究

合成了一种新型的稀土铽配合物材料TbY(o-MBA)6(phen)2,把它作为发光材料应用于有机电致发光中。把铽配合物掺杂在导电聚合物PVK中采用旋涂法制得发光层,并利用AlQ作为电子传输层制作了多种结构的电致发光器件:器件A,ITO/PVK∶TbY(o-MBA)6(phen)2/LiF/Al;器件B,ITO/PVK∶TbY(o-MBA)6(phen)2/AlQ/LiF/Al;器件C,ITO/PVK∶TbY(o-MBA)6(phen)2/BCP/AlQ/LiF/Al。对器件A和B得到了纯正的、明亮的Tb3+离子的绿光发射,4个特征峰分别对应着能级5D4到7Fj(j=6,5,4,3)的跃迁,而PVK的发光完全被抑制。研究了掺杂体系的光致发光性能和电致发光性能,认为在光致发光中,铽的发光主要来源于PVK到稀土配合物的Frster能量传递。而在电致发光中,铽的发光主要来源于稀土配合物直接捕获载流子形成激子复合发光。并通过优化选择得到了发光性能较好的器件B,其最大亮度在14V时达到213cd·m-2。

稀土配合物与PVK共混体系发光特性及载流子复合区域转移的研究

合成了一种新型的铽钆共掺稀土配合物TbGd(BA)6(bipy)2,把它作为发光材料应用于有机电致发光中。文中摸索了器件优化条件,并讨论了TbGd(BA)6(bipy)2与PVK共混体系的发光机理和载流子复合区域的转移。稀土配合物的光致发光是由于外部直接激发及PVK到稀土配合物的能量传递。电致发光有两个途径,PVK到稀土配合物的能量传递及载流子的直接俘获。在双层器件中,发光区域随Alq3厚度变化,尤其是在高电压下,载流子复合区域移向Alq3一侧,而在增加BCP作为空穴阻挡层的多层器件中,载流子限制在发光层和空穴阻挡层的界面处复合,随着电场的增强,铽发光趋于饱和,而出现了高分子基质的发光。优化后,得到213cd.m-2明亮的铽的绿色发光。

石英衬底阳极氧化铝膜的制备及其光致发光的研究

报道了用15wt%H2 SO4 为电解液,在恒温0℃,4 0V电压条件下制备阳极氧化铝膜,用原子力显微镜观察其形貌,表明在简单条件下在石英衬底上制备了致密的氧化铝微晶膜。研究了不同电压条件下制备的氧化铝膜的常温光致发光,并监测了其激发光谱,发现其常温光致发光相对强度和发射峰位置与阳极氧化电压关系密切,有相对强度变小和发射峰位置红移的趋势,在4 0V电压条件下出现了35 6nm新的发射峰,而其不同的发射峰激发光谱都为2 10nm ,说明其来源存在关联。详细分析了4 0V电压下的阳极氧化铝膜中出现的35 6 ,386nm近紫外发射,并认为其发光来源于与F心和F+ 心有关的氧缺陷。

CdS薄膜的化学沉积法制备及其特性的研究

用化学沉积方法在沉积温度为90℃下制备了CdS薄膜。研究了直接退火处理和涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理对CdS薄膜的影响。利用X射线衍射、扫描电子显微镜对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了研究,发现没有任何处理的CdS薄膜没有明显的晶型;直接退火处理促进了CdS立方相的结晶,晶粒没有增大且生长出许多细小的晶粒;涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理不仅极大地促进了CdS六角相的结晶,而且晶粒增粗增大,表面更加光滑。用吸收光谱研究了薄膜的光学特性,发现退火使薄膜的禁带宽度变窄,涂敷CdCl2甲醇溶液后退火处理使吸收边变陡和带尾变小。表明涂敷CdCl2甲醇溶液退火处理明显改善CdS薄膜的结晶质量和光学性质。

MEH-PPV/ZnO纳米晶无机有机复合电致发光器件的研究

以Ⅱ Ⅵ族无机半导体ZnO纳米颗粒为电子传输层 ,MEH PPV为空穴传输层兼发光层 ,得到的电致发光器件比单层MEH PPV器件的发光亮度和效率都明显提高。器件结构为ITO/MEH PPV/ZnO/Al的电致发光光谱同单层PPV器件的光谱出现了不同 ,在 6 2 0nm处出现了一个小的发光峰 ,应该是ZnO的发光。另外 ,双层结构器件的启亮电压由单层器件的 9V降到了 4V左右。由I V曲线及发光光谱可判断出发光区域应在MEH PPV/ZnO界面处 。

锰掺杂对CaS∶Eu光激励发光性能的影响

采用硫化助熔剂法制备了CaS∶Eu,Mn荧光粉。通过测量样品的荧光光谱和紫外光辐照下的光激励发光谱,发现Mn离子的掺入使CaS∶Eu的发光性能明显增强,存在于基质材料中的陷阱分布因掺入Mn杂质而改变,形成了新的俘获中心,引起能量转移。增大了电子俘获过程中电子和空穴复合的几率,有利于提高材料的存储性能。比较了不同浓度下发射光谱的差异,探讨了掺杂浓度对发光特性的影响。通过比较光激励发光衰减曲线,进一步表明了Mn掺杂对CaS∶Eu光激励发光性能的改善。

铽配合物Tb(BA)_3phen的有机电致发光

合成了一类新型稀土配合物Tb(BA)3phen,将其掺杂到导电聚合物PVK中获得了纯正、明亮的绿光发射。用这种搀杂体系分别制作了单层发光器件和双层器件。对于单层器件,掺杂浓度为1∶5,甩膜转速1 000 r.min-1时器件的发光效果最好,起亮电压为10 V,最大亮度在21 V时可达26.8 cd.m-2。双层器件用AlQ作为电子传输层,通过改变其厚度得到了发光性能较好的用AlQ作为电子传输材料的器件,其最大亮度在22 V时可达322 cd.m-2。

稀土配合物Tb(p-MBA)_3phen的有机电致发光

合成了一种新型的稀土铽配合物材料Tb(p MBA)3phen,把它作为发光材料应用于有机电致发光中。把铽配合物掺杂在导电聚合物PVK中采用旋涂法制得发光层,并利用AlQ作为电子传输层制作了单层、双层有机电致发光器件:器件1(ITO/PVK):Tb(p MBA)3phen/Al;器件2(ITO/PVK):Tb(p MBA)3phen/AlQ/LiF/Al,得到了纯正的、明亮的Tb3+离子的绿光发射,4个特征峰分别对应着能级5D4到7Fj(j=6,5,4,3)的跃迁,而PVK的发光完全被抑制。研究了两种器件的电致发光性能,并通过选择AlQ的厚度得到了发光性能较好的器件,其最大亮度在20V时达到152cd·m-2。

一种新型共掺杂稀土配合物的发光特性

制备了一类以苯甲酰水杨酸 (BenzoylSalicylicAcid ,BSA)为第一配体 ,邻菲罗啉 (phenanthroline ,phen)为第二配体的共掺杂稀土铕镧配合物La0 6Eu0 4(BSA) 3 phen。用其作为发光层材料制作了电致发光器件 :ITO/PVK :La0 6Eu0 4(BSA) 3 phen/Alq/Al。讨论并证明了稀土La3 + 与Eu3 + 之间存在F rster能量传递。同时将该器件与器件ITO/PVK :Eu(BSA) 3 phen/Alq/Al和ITO/PVK :Tb0 6Eu0 4(BSA) 3 phen/Alq/Al的发光进行了比较。表明该器件具有单色性好 ,整流性好的特性 ,同时得到了最大亮度为 10

稀土铽配合物TbY(m-MBA)_6(phen)_2·2H_2O的有机电致发光

合成了两种新型稀土配合物[Tb(m MBA)3phen]2·2H2O和TbY(m MBA)6(phen)2·2H2O,将其掺杂到导电聚合物PVK中用于有机电致发光器件的发光层,这样改善了配合物的成膜特性和导电性质。用这种搀杂体系分别制作了单层发光器件和以AlQ为电子传输层的双层器件。研究了这些单、双层器件的电致发光性能,对比了以[Tb(m MBA)3phen]2·2H2O为发光层的双层器件和以TbY(m MBA)6(phen)2·2H2O为发光层的器件,发现后者效率更高,为0 88cd·A-1,其最大亮度为123cd·m-2。

O_2含量对Fe∶NiO_x阳极催化膜性能的影响

Fe:NiOx薄膜作为太阳能光电化学制氢的阳极催化膜,是在O2/Ar气氛中,利用射频反应磁控溅射方法制备的.O2含量在10%～40%范围内变化.通过对氧过电位、结构、形貌、组分和透过率的测定,来确定O2含量与上述电化学及物理性能的关系.当O2含量为40%,电流密度为8mA/cm2时的氧过电位为250mV.当O2含量增大,过电势减小,而透过率却有所降低,这与膜的结构和组分有关.

铽配合物TbY(mMBA)_6(phen)_2·2H_2O的有机电致发光分析

将新型稀土配合物TbY(m MBA) 6 (phen) 2 ·2H2 O掺杂到导电聚合物PVK中改善了配合物的成膜性和导电性,作为发光层应用于有机电致发光。分别制作了器件(1) :ITO PVK :TbY(m MBA) 6 (phen) 2 ·2H2 O LiF Al和以Alq为电子传输层的器件(2 ) :ITO PVK :TbY(m MBA) 6 (phen) 2 ·2H2 O Alq LiF Al。研究了两种器件的电致发光性能,得到了最大效率为0 88cd·A- 1 的器件。研究了铽配合物与PVK共掺杂体系的激发光谱和光致发光谱,发现两者之间存在着能量转移,说明Y3+ 的存在促进了PVK到Tb3+ 的能量传递。文章就器件的发光特性和掺杂体系的能量传递进行了初步讨论。