基于电泳技术的电子纸研究进展

简要介绍了基于电泳技术的电子纸在世界各国的发展状况和工作原理,并在此基础上分析了目前所存在的两种电泳显示各自的优缺点,阐述了影响电泳显示的因素,并展望了电子纸广泛的应用前景。

MEH-PPV/CdSe纳米复合器件的光电导特性的研究

以CdO和Se粉作为前驱物,在TOPO/TOP有机体系中制备了CdSe纳米晶,将其与聚合物MEH-PPV复合制备了复合光电导器件,研究了它的光电导特性,并将其与单层MEH-PPV光电导器件的特性进行了比较。结果发现纳米复合光电导器件的光电流响应光谱的2个峰的位置基本上与MEH-PPV和CdSe纳米晶的吸收峰的位置相对应,这说明CdSe纳米晶和聚合物MEH-PPV的吸收对光电流都有贡献,主要是由于CdSe纳米晶和MEH-PPV界面处的激子离化和电荷转移造成的。而且复合器件的光电流较单层有所增强,且MEH-PPV器件光谱的响应范围更宽。

电子俘获光存储材料BaLiF_3:Eu^(2+)的光激励发光及光存储性质研究

利用高温固相反应法制备了混晶状的BaLiF3Eu2+样品。其紫外光激发的发射峰与光激励发光峰均在410nm处,属于Eu2+的5d—4f跃迁发光。光激励峰位于660nm,因而可以配用简单廉价的氦氖激光器。根据光谱特征给出了光激励发光的简单机理。测量了该材料光激励发光衰减性能,结果表明BaLiF3Eu2+存储的信息可以方便地擦除掉。该材料具有优良的光激励发光特性,是一类很有发展前途的电子俘获光存储材料。

用吸收差谱研究电子俘获材料的光激励发光

以SrS:Eu,Sm为例说明可以利用电子俘获材料在光激发前后的吸收谱的差别来获取电子俘获材料光激励发光的信息。电子俘获材料在激发后的吸收光谱同时包含了不同陷阱(杂质)对光激励的吸收情况。因此激发前后的吸收光谱差(吸收差谱)除了能给出与光激励谱相同的信息外,还包含空穴陷阱的激励,光存储总量等信息,因此有助于更全面地了解材料的光激励发光过程。

SrAl_2O_4∶Eu,Dy纳米材料与体材料的光电特性研究

用溶胶-凝胶自燃烧法和高温固相法分别制备了纳米和体相SrAl2O4∶Eu,Dy长余辉磷光体。用X射线衍射对晶体结构进行了表征,用Keithley2410对材料在有无光照条件下的电流-电压特性进行了分析,同时还测量了样品的真空紫外激发光谱。光照使材料的电流增强,说明至少有部分电子经光照后被激发到导带;纳米材料真空紫外激发光谱发生蓝移,说明纳米材料的禁带宽度要大于体材料的禁带宽度,相同电压下纳米材料的电流小于体材料的电流。

NPB/Alq_3有机量子阱光电特性研究

利用热蒸发的方法制备了有机量子阱发光器件和Alq3单层发光器件,其中NPB(N,N′-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N′-diphenyl]-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine)作垒层,Alq3(Tris-(8-quinolinolato)aluminum)作阱层,量子阱结构类似于无机半导体的Ⅱ型量子阱结构。实验发现有机量子阱发光器件结构中存在垒层向阱层的F rster无辐射共振能量转移,具有良好的电流-电压特性,光谱的窄化及蓝移,并且光谱的蓝移程度随电压的增大而逐渐增强。

电子俘获光存储材料的最新研究进展

电子俘获材料是一类有着巨大应用潜力的光存储材料,它能将写入光照射材料后产生的电子(空穴)束缚在材料的某些稳定的高能级(陷阱)上。只有经过合适的读出光照射,被束缚住的电子(空穴)才能脱离陷阱复合发光。发光在空间的强度分布与写入光的分布一致,即再现了写入光的信息。电子俘获材料的种类很多,研究进展各不相同。其中,以作为X光影像存储材料的BaFBr:Eu为代表的碱土金属氟卤化物已经广泛应用于医疗诊断方面。本文分类介绍了近年来几种典型的电子俘获材料在发光机理和应用方面的最新进展,尤其重点介绍了新兴的玻璃陶瓷型电子俘获材料的研究工作情况。

太阳能光电化学电池分解水制氢技术及其研究发展

主要介绍了太阳能光电化学电池分解水制氢技术的基本原理以及发展历史和研究现状,并在此 基础上分析了影响谊技术发展的一些因素,包括迭层电池的各结之间的能带匹配、催化电极的制备、电阻的减 小以及电池的结构等一系列问题.

一步法合成硫量子点及其电致发光特性的研究

硫量子点(SQDs)作为一类新的非金属元素量子点,不但具有绿色环保无毒的优点,而且制备简单、成本较低、溶解性好、光致发光(PL)特性稳定,引起了量子点领域研究人员极大的兴趣,在纳米电子学、光学、催化化学、生物医学以及传感器等领域都有较好的应用前景。目前有关硫量子点的研究主要集中在硫量子点的合成及提高光致发光性能方面,同碳量子点类似,这类量子点在紫外灯的照射下也可以显示不同颜色的光,但绿色荧光性能还需进一步提高。该研究主要采用超声辅助处理液相反应等方法来制备硫量子点,采用正十二硫醇(1-Dodecanethiol)的长链硫醇分子来提供硫源,利用一步法高温(240℃)加热,在很短的时间内(2h)成功合成了蓝色单质硫量子点(SQDs),并对合成的量子点进行了荧光光谱(PL)、吸收光谱(Abs)、拉曼光谱、红外吸收光谱、元素分析和形貌分析的表征。由实验可以看出,硫量子点从550nm就开始逐渐出现吸收,主要是由于量子点表面缺陷多所致;在450nm处出现明显的吸收边,对应能带吸收;在372nm处的吸收,归结为量子点中存在S82-所导致的吸收。在330nm激发下,所合成的量子点呈现出明显的蓝光,主发射峰位于450nm处,主半峰宽大约50nm。而后分别改变反应温度和反应时间来合成不同量子点,实验发现随着反应温度的升高和反应时间的延长,所合成的硫量子点(SQDs)在330nm激发下均呈现出从蓝色到黄绿色的变化,荧光光谱(PL)发射峰主峰波长分别位于400、450和525nm,合成的硫量子点(SQDs)的发光量子产率(PLQY)可以达到1.48%。此外,我们利用合成的硫量子点(SQDs)首次制备电致发光器件,结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK/SQDs/B4PyMPM/LiF/Al,并测试器件的电致发光特性,成功获得了硫量子点(SQDs)位于472nm的蓝光发射,通过改变电子传输层B4的厚度可以改变S-QLED器件的亮度,这为实现硫量子点(SQDs)的电致发光具有一定的指导作用。

水相中CdSe与核／壳CdSe／CdS量子点的制备与发光特性研究

以巯基乙酸为稳定剂在水相中制备了CdSe与核／壳型CdSe／CdS量子点水溶胶,用紫外-可见吸收光谱和发射光谱研究了它们的发光特性,并且用X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)表征了它们的结构、形貌和化学组成,结果表明使用该方法制备的量子点分散性良好,而且用CdS对CdSe进行表面修饰以后的发光强度明显提高,发射光谱和吸收光谱都有红移现象,不同粒径颗粒的吸收峰的位置也有所不同．

II-VI族半导体量子点的发光特性及其应用研究进展

半导体量子点由于具有独特的发光特性而具有极高的应用价值。结合本实验室的工作介绍了半导体量子点的发光原理和发光特性,在实验中发现核壳结构的CdSe/CdS半导体量子点比没有包覆的CdSe半导体量子点的发光稳定性提高,吸收光谱和发射光谱均发生红移,而且粒径不同,半导体量子点所呈现的颜色也不同,随着粒径的增加吸收光谱和发射光谱向长波方向红移。介绍了半导体量子点在光电子器件和生物医学方面的应用,并对其发展前景进行了展望。

水溶胶CdSe/CdS核/壳结构纳米晶制备及光学性质的研究

以巯基乙酸为稳定剂在水溶液中合成了水溶胶CdSe/CdS核/壳结构的量子点,利用X射线粉末衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对量子点结构进行了表征;并对化学组成和尺寸分布进行了研究。通过紫外可见吸收光谱、激发光谱与发射光谱研究了它们的发光特性。

电子传输层PBD对Alq_3∶DCJTB电致发光器件的影响(英文)

以PBD为电子传输层制作了一组掺杂型有机电致发光器件,并研究了掺杂器件中PBD对器件的光谱、亮度等的影响。发现PBD与NPB和DCJTB分别掺杂的器件的光谱与其它的器件不同,然后运用了载流子的注入、传输及PBD的传输特性等方法对光谱做出了合理的解释,并运用高斯截谱的方法分析了各个发光峰的产生原因。

磁控溅射制备ZnO薄膜的受激发射特性的研究

用射频磁控反应溅射法在二氧化硅衬底上制备ZnO薄膜。得到了在不同温度下ZnO薄膜的吸收与光致发光。观测到了纵光学波 (LO)声子吸收峰与自由激子吸收峰 ;室温 (30 0K)下 ,PL谱中仅有自由激子发光峰。这些结果证实了ZnO薄膜具有较高的质量。探讨了变温ZnO薄膜的发光特性。研究了ZnO薄膜的受激发射特性。

对电泳液中颜料粒子运动性能的研究

详细介绍了胶体悬浮液作为一种显示用电泳液时的电学性能,分析了电泳颗粒的运动特征;针对目前有些文献中提到的介电泳现象以及利用介电泳现象制成的无源矩阵驱动方式,从理论角度进行了分析。指出介电泳现象在理论上确实存在,但是绝大多数的电泳液在显示时介电泳现象都很微弱,很难实现廉价、大面积的无源矩阵驱动;最后以一种电泳液为例测试了其反射谱,从实验角度验证了此结论,并给出了最佳的驱动参数。

一种新型稀土配合物Tb(m-benzoicacid)_3的发光特性的研究

研究了一种新型稀土配合物发光材料 ,对苯甲酸铽Tb(m benzoicacid) 3 的发光特性。以这种材料为掺杂剂 ,聚乙烯咔唑 (PVK)为基质材料制备了薄膜器件。通过对光谱的研究 ,发现在掺杂体系中 ,PVK与Tb(m benzoicacid) 3 之间存在有效的能量传递 ,能量传递效率与铽配合物的掺杂浓度有关 ,随着Tb配合物的掺杂浓度的增加 ,Tb的特征发光在掺杂体系中所占比重也相应增加 ,而PVK的发光相对明显减弱 ,当Tb(m benzoicacid) 3 :PVK的质量比高于 2 0 %时 ,整个体系的发光变为以Tb的发光为主 ,而PVK的发光基本猝灭了。以PVK :Tb(m benzoicacid) 3 掺杂体系为发光层 ,八羟基喹啉铝 (Alq)为电子传输层 ,制备了双层电致发光器件 ,器件的结构为ITO/PVK :Tb(m benzoicacid) 3 /Alq/LiF/Al,该器件的电致发光为三价铽离子的特征发光 ,在 2 1V的电压下 ,亮度可达 311nt。

有机/无机复合结构光电导型器件的光激发机制

制备了PVK/ZnS有机无机复合的光电导型器件 ,器件结构分别为Glass/ITO/PVK/Al;Glass/ITO/ZnS/Al;Glass/ITO/ZnS/PVK/Al。通过研究此复合器件在外加电场作用下的稳态光电导激发谱 ,得到了基本光激发过程。把PVK/ZnS的吸收谱和器件的光电导谱进行比较 ,知道虽然两者的吸收对器件光电流都有贡献 ,但有效部分在PVK和ZnS的界面处。

铽配合物Tb(o-BBA)_3(phen)有机电致发光研究

合成了一种新的稀土配合物邻苯甲酰苯甲酸-1,10-菲罗啉-铽(Tb(o-BBA)3(phen))并用于有机电致发光。研究了Tb(o-BBA)3(phen)与PVK混合薄膜的光致发光特性,找出了PVK∶Tb的最佳比例为3∶1。制备了结构为ITO/PVK∶Tb/Al的单层电致发光器件,得到了铽离子的特征光谱,其电流-电压特性(I-V)在一定电压范围内符合空间电荷限制电流机制。研究结果表明稀土铽配合物Tb(o-BBA)3(phen)掺杂PVK体系的光致发光是源于PVK到Tb配合物的能量传递及稀土Tb配合物的直接激发两种作用机制,而电致发光以载流子俘获为主。

含柔性侧链苯并菲衍生物合成研究的进展

系统地综述了含柔性侧链苯并菲衍生物的合成方法的研究进展.根据苯并菲取代基的特点来划分合成苯并菲衍生物的方法,并选取具有代表性的实例对苯并菲衍生物的结构和合成方法进行详细的阐述.

太阳能制氢技术研究进展

利用太阳能制氢因其具有能够有效解决能源问题、形成可持续的能源体系以及减少温室气体及有害气体的排放等优点而得到了广泛的关注。介绍了基于传统概念上太阳能制氢技术的新方法、新工艺及新材料,分析了一些技术难点,最后论述了发展太阳能制氢技术的前景并指出了今后的研究方向。