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CVD制备碳化硅膜层的工艺温度影响与性能
被引量:
1
1
作者
王力
李靖晗
+2 位作者
李华民
包根平
张慧
《中国高新科技》
2023年第10期99-101,共3页
文章在工艺温度1150~1350℃区间对化学气相沉积(CVD)技术制备SiC薄膜的密度和硬度、沉积速率、膜层表面形貌、碳化硅微观结构,以及膜层和基体结合强度作了系统性探究,结果显示1250℃下膜层表面形貌光滑、膜层致密、与基体结合性能良好,...
文章在工艺温度1150~1350℃区间对化学气相沉积(CVD)技术制备SiC薄膜的密度和硬度、沉积速率、膜层表面形貌、碳化硅微观结构,以及膜层和基体结合强度作了系统性探究,结果显示1250℃下膜层表面形貌光滑、膜层致密、与基体结合性能良好,膜层由β-SiC组成,并具有优良的硬度与导热性。
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关键词
碳化硅
化学气相沉积
工艺温度
沉积速率
界面结合
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职称材料
题名
CVD制备碳化硅膜层的工艺温度影响与性能
被引量:
1
1
作者
王力
李靖晗
李华民
包根平
张慧
机构
北京亦盛精密半导体有限公司
出处
《中国高新科技》
2023年第10期99-101,共3页
文摘
文章在工艺温度1150~1350℃区间对化学气相沉积(CVD)技术制备SiC薄膜的密度和硬度、沉积速率、膜层表面形貌、碳化硅微观结构,以及膜层和基体结合强度作了系统性探究,结果显示1250℃下膜层表面形貌光滑、膜层致密、与基体结合性能良好,膜层由β-SiC组成,并具有优良的硬度与导热性。
关键词
碳化硅
化学气相沉积
工艺温度
沉积速率
界面结合
Keywords
silicon carbide
chemical vapour deposition
process temperature
deposition rate
interfacial bonding
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CVD制备碳化硅膜层的工艺温度影响与性能
王力
李靖晗
李华民
包根平
张慧
《中国高新科技》
2023
1
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