非对称量子点中极化子的性质(英文)

采用线性组合算符和幺正变换方法研究了非对称量子点中强、弱耦合极化子的性质,导出了非对称量子点中强、弱耦合极化子的基态能量和基态结合能随量子点的横向、纵向有效受限长度,电子-声子耦合强度的变化关系。通过数值计算,结果表明,量子点中强、弱耦合极化子的基态能量和基态结合能随量子点的横向、纵向有效受限长度的减小而迅速增大。

水平层状介质中任意方向磁偶极子的电磁场分布

将水平层状介质中的任意方向磁偶极子分解成水平磁偶极子(HMD)和垂直磁偶极子(VMD),给出了将VMD和HMD产生的波分解为电场矢量垂直于入射面的线形极化波(EV波)和平行于入射面的线形极化波(EP波)的方法.通过分别研究这两种波在各层介质中的反射和透射规律,导出确定各介质层中电磁波的递推公式,从而得到了任意介质层中电磁波的解析表达式.

重金属团簇(M_2Te)_3(M=Au,Ag,Cu)赝势从头算研究

使用相对论和非相对论赝势,在HF和MP2理论水平上研究了重金属混合/掺杂团簇(M2Te)3(M=Au,Ag,Cu)的几何构型和稳定性.结果显示,团簇存在具有D3h,C2v和C3v对称性的三种稳定异构体,并且各异构体之间能量相差很小.电子相关效应对M-M键长的修正十分显著,而对M-Te键长和Te-M-Te键角的修正非常小.相对论效应使所有键长变短、Te-M-Te键角变大.两种效应都提高振动频率、降低能量,使团簇结构变得更加紧凑,使多聚物趋于更加稳定.

磁场对非对称量子点中极化子性质的影响

采用线性组合算符和幺正变换方法研究磁场对非对称量子点中弱耦合磁极化子性质的影响。导出了非对称量子点中弱耦合磁极化子的振动频率、基态能量和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度、磁场和电子-声子耦合强度的变化关系。数值计算结果表明:非对称量子点中弱耦合磁极化子的基态能量和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度的增加而迅速增大。随回旋频率的增加而增大,随电子-声子耦合强度的增加而减小。

磁场和库仑场对量子点中强耦合束缚极化子性质的影响

采用线性组合算符和幺正变换方法研究了磁场和库仑场对半导体量子点中强耦合极化子性质的影响.导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量与量子点的有效受限长度、库仑束缚势、磁场的回旋共振频率和电子-声子耦合强度的变化关系.数值计算结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的回旋共振频率的增加而增大.基态能量随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而减少.

雷电电磁脉冲的产生机理、危害及其防护

阐述了雷电电磁脉冲的产生机理、传播途径及对电子设备的危害,并简要说明了其防护措施.

重金属钋化物分子MPo(~2∏),(M=Cu,Ag,Au)的结构和势能函数(英文)

利用相对论小核赝势研究了重金属钋化物分子MPo(X2∏),(M=Cu,Ag,Au).用群论方法结合原子分子反应静力学原理导出了分子的基电子状态和相应的离解极限,并在各种电子相关理论水平上计算了它们的平衡几何和振动频率.在此基础上用Murrell-Sorbie函数形式拟和势能曲线,得到了总的解析势能函数,并计算出了光谱数据和力常数.

具共振条件高阶微分方程多点边值问题的解(英文)

主要研究共振条件下高阶多点边值问题解的存在性.首先建立一些引理,引进矩阵进行计算,通过适用的算子分解,全新的先验界估计,在dimKerL=2时,应用Mawhin连续性定理证明了多点边值问题解的存在性的一些结果.改进了投影算子的构造,在可解准则中,放宽了对f的限制.此前与之相关的结论都是在dimKerL=1的情况下得到的.

关于导数的介值性的简单应用

对导数的介值定理做简单阐述。

非对称量子点中弱耦合极化子的相互作用能

采用改进的线性组合算符和幺正变换方法,研究非对称量子点中弱耦合极化子的性质。导出了非对称量子点中弱耦合极化子的振动频率和相互作用能随量子点的横向和纵向有效受限长度和电子-声子耦合强度的变化关系。数值计算结果表明:非对称量子点中弱耦合极化子的振动频率和相互作用能随量子点的横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大,表现出奇特的量子尺寸效应。

基于巨磁阻抗效应的新型高灵敏度磁敏传感器

结合材料学与微电子学,利用信号的调制与解调技术,设计制作出一种基于非晶材料巨磁阻抗效应的新型高灵敏度磁敏传感器。该传感器尺寸小,为28mm×15mm×4mm;灵敏度高,达到6.5mV/μT;非线性度小于0.78%F.S。文中介绍了非晶丝的特性、传感器的电路设计和实验数据分析。

抛物势对GaAs非对称半指数量子阱中极化子基态能量的影响

探究了非对称抛物受限势对GaAs非对称半指数量子阱中弱耦合极化子性质的影响。采用线性组合算符方式和两次幺正变换,导出了GaAs非对称半指数量子阱中弱耦合极化子的基态能量随x轴、y轴方向的非对称抛物受限势的受限强度ωx、ωy和非对称半指数受限势的两个正参量U0、σ的变化情况。对GaAs半导体进行了数值计算,结果表明非对称半指数量子阱中弱耦合极化子的基态能量E0是参量U0的增函数,而它是另一个参量σ的减函数。非对称抛物受限势的影响表现为基态能量E0随x轴和y轴方向的非对称抛物受限势的受限强度ωx和ωy的增加而迅速增大,表示出量子阱独特的量子尺寸限制效果。

含时双阱玻色-爱因斯坦凝聚体的几何相因子

利用构造不变量理论,研究了一种含时双阱玻色-爱因斯坦凝聚系统的精确解,得到了相应的几何相因子.