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二维Bi2Se3晶体对罗丹明6G分子的荧光猝灭效应研究 被引量：1
1
作者 吴金雄 刘忠范 彭海琳 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第9期944-948,共5页
首次研究了拓扑绝缘体Bi2Se3二维晶体对其表面吸附的罗丹明6G分子的荧光猝灭效应,证明薄层Bi2Se3可以有效猝灭罗丹明6G分子的荧光,且随Bi2Se3二维晶体的厚度从单层增加到8层,荧光猝灭效应增强,并初步探讨了其荧光猝灭机理.
关键词 拓扑绝缘体 二维晶体 荧光猝灭 Bi2Se3
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