Ca_xSr_(1-x)S: Bi,Tm,Cu和CaS: Eu荧光材料的研究

所作的一部分工作是对长余辉的荧光材料ＣａｘＳｒ１－ｘＳＢｉ，Ｔｍ，Ｃｕ（ｘ＝０，０．７５，１）进行了研究．ＣａＳ和ＳｒＳ两种基质材料高温互溶后，因为基质的晶体微结构上的变化引起Ｂｉ３＋离子荧光效应的变化，即发光的发射波数发生改变．另一部分工作是对ＣａＳＥｕ加入陷阱机制后发光效应的研究．新的陷阱机制的引进，使得其余辉效应有较大的延长．

Ca_(0.9)Sr_(0.1)S∶Bi^(3+),Tm^(3+)荧光材料的光学性质

Ca0 .9Sr0 .1S∶ Bi3 + ,Tm3 +是一种复合掺杂复合基质荧光材料。在此给出了 4 40 nm和 52 0 nm发射的激发谱 ,2 50 nm到 3 50 nm的激发的发射谱 ,以及 4 0 0 nm到 52 0 nm的荧光衰减谱。紫外光区域的激发谱表明 ,Ca0 .9Sr0 .1S∶ Bi3 + ,Tm3 + 有两个主要的能量传递体系 ,3 2 5nm的复合掺杂中心 Tm3 + 的 CT跃迁激发体系 ,和Bi3 + 的自身激发体系。紫外激发的荧光发射谱的中心发射波长在 4 53 nm处。在电子和空穴陷阱同时存在时 ,It=I0 [( 1 +γet) ( 1 +γht) ]-n,对于 Ca0 .9Sr0 .1S∶Bi3 + ,Tm3 +材料 γh=0 .0 1 68,γe=0 .0 0 0 1 ,n=1 .1。Tm3 +的电子陷阱深度约为 0 .5e V,比复合基质中的正离子空位的空穴陷阱要深。考虑复合基质材料的线性关系 ,电子陷阱的深度可表示为 De=βe-αx;空穴陷阱的深度可表示为 Dh=( βhc-αhx) x+( βhs-αhx) ( 1 -x)。

Ca_8M(SiO_4)_4Cl_2(M=Mg,Zn)中Ce^(3+)的发光性质

报道了氯硅酸镁钙Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２及氯硅酸锌钙Ｃａ８Ｚｎ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２中Ｃｅ３＋的发光特性，研究并分析了Ｃｅ３＋在这两种材料中的激发光谱、发射光谱及荧光衰减特性。在ＵＶ辐射激发下，Ｃｅ３＋发射出强的蓝紫光。室温下Ｃｅ３＋在两种材料中的荧光寿命分别为６１ｎｓ和４４ｎｓ。