组分变化对无铅低熔玻璃使用特性的影响

采用阿基米德排水法、热机械分析、失重法和扫描电镜法研究了V2O5-P2O5-Sb2O3-Bi2O3体系玻璃的密度、热膨胀系数和化学稳定性。结果表明:随着Sb2O3取代部分V2O5,玻璃的密度显著升高,膨胀系数略有增长,化学稳定性显著增强;随着Sb2O3取代部分P2O5,玻璃的密度显著升高,膨胀系数下降,化学稳定性增强;随着P2O5取代部分V2O5,玻璃的密度略有下降,膨胀系数增长较大,化学稳定性增强。90%的样品的密度、膨胀系数和化学稳定性都能满足使用要求。这是由于Sb2O3和P2O5取代V2O5进入钒酸盐玻璃中,玻璃结构由层状转化为立体交联结构,玻璃结构得到增强的结果。

Sb_2O_3部分替代V_2O_5对V_2O_5–P_2O_5–Sb_2O_3–Bi_2O_3体系玻璃电性能的影响

采用体积电阻率法、红外光谱、X射线衍射研究了V2O5–P2O5–Sb2O3–Bi2O3体系玻璃的电性能、结构和析晶状况。结果表明:随着Sb2O3取代部分V2O5,玻璃的体积电阻率显著升高,电子分别以V4+和V5+为中心不停地进行电子跃迁的电子导电特征得到明显抑制,15%Sb2O3、20%Sb2O3玻璃的体积电阻率可以达到实用水平。当Sb2O3取代V2O5进入钒酸盐玻璃中,玻璃结构得到增强,析晶状况得到改善,削弱了玻璃的导电能力。

等离子电视用无铅封接玻璃发展现状

平板电视行业的技术升级和革新速度正在加速进行,市场迅速扩大,中国的等离子阵营实力进一步增强。综述了等离子电视屏使用的非晶型无铅低熔点封接玻璃的开发及应用现状;分析了铋酸盐体系、钒酸盐体系、磷酸盐体系的优劣;探讨了应用中几个关键参数的改进方向及研究方法;建议了下一步工作的方向。

高分子有机场效应晶体管中半导体薄膜结晶行为及微观结构变化的研究

为了探索高分子有机场效应晶体管(OFET)中高分子自组织机理与电荷传输的关联性,采用同步辐射掠入射X射线衍射技术研究了高分子OFET中以高度区域规则的聚(3-己基噻吩)(RR-P3HT)为代表的半导体层的结晶行为及微观结构组织变化,及其引起的高分子半导体电荷传输机理.研究发现,采用自组装单分子层(SAMs)技术进行界面修饰,可以完善绝缘层与RR-P3HT半导体层之间的界面效果.SAMs的形成改善了界面,可以有效地控制上层RR-P3HT半导体层的结晶性及微观结构,使较多的噻吩环面垂直于衬底、得到π-π堆积方向平行于衬底的二维微晶粒薄片结构,这种微观结构有效地形成了二维共轭电荷传输通道,完善了在RR-P3HT工作层生长过程中的自组织机理;并且对于RR-P3HT半导体工作层来说,慢速生长过程比快速生长过程更有利于有效的二维共轭微晶粒薄片生长,更能完善RR-P3HT工作层生长过程中的自组织机理.

高分子有机场效应晶体管中退火引起的自组织微观结构变化的研究

为了进一步洞悉高分子薄膜自组织机理和高分子有机场效应晶体管(OFET)载流子迁移率之间的直接关联性,本工作采用先进的同步辐射掠入射X射线衍射(GIXRD)技术,研究了高分子OFET中高分子半导体高度区域规则的聚(3-己基噻吩)(RR-P3HT)工作层薄膜,由不同退火温度所导致的薄膜自组织微观结构的变化.GIXRD测试实验结果显示了,对于不同高分子薄膜制备方法(旋涂法及滴膜法)及不同溶液浓度(RR-P3HT溶液浓度为2.5mg/ml及3.5mg/ml)制备的RR-P3HT有机半导体工作层,在氮气气氛下,经过150℃热退火后,形成的噻吩环面垂直于基底,π-π堆积方向平行于衬底二维微晶粒薄片结构较多,微晶粒薄片的晶粒结构较好,有利于载流子的传输.GIXRD测试实验结果也验证了,一个合适的退火处理,将更有利于这个自组织过程中"edge-on"的微晶粒薄片结构的形成,结果将导致高分子OFET中场效应迁移率的提高.

非溶剂掺杂完善自组织机理提升高度区域规则的(3-己基噻吩)有机场效应晶体管器件性能的研究

为了保证在低温加工及溶液制备的情况下,能够提升高度区域规则的聚(3-己基噻吩)(RR-P3HT)有机场效应晶体管(OFET)的器件性能,本文研究了室温下乙醇及乙腈非溶剂的掺杂,及其对高分子自组织机理与导致的RR-P3HTOFET电学性能的影响.实验发现,适量进行乙醇及乙腈非溶剂的掺杂,将促进RR-P3HT薄膜形成更多期望的微晶粒薄片结构,完善高分子自组织机理,导致RR-P3HTOFET电学性能的提升.实验表明,在RR-P3HT溶液中进行5%乙腈添加后,其器件场效应迁移率的值由原来的4.04×10-4cm2/V·s增加到3.39×10-3cm2/V·s,RR-P3HTOFET的场效应迁移率增强了大约8倍.而当乙醇及乙腈非溶剂掺杂浓度过量时,二维微晶粒结构的有序度降低,并且产生了明显的沉淀析出现象,薄膜呈现明显的龟裂现象,这样的沉淀物析出物在导电沟道里将作为缺陷存在,降低了RR-P3HT OFET的器件性能.