N,N′-二-(2-吡啶基)苝四羧酸二酰亚胺的合成及性能研究

合成了N,N′ 二 (2 吡啶基)四羧酸二酰亚胺,并纯化、调晶.对产物进行了元素分析和IR光谱研究(环状二酰亚胺的CO以双峰1708.8cm-1、1664 5cm-1).α晶型产物溶液的紫外可见光谱(最大吸收波长为526.00nm)和荧光光谱(最大发射波长为538.0nm)存在很好的镜像对称关系.薄膜紫外可见光谱图在450—570nm范围内,α晶型比β晶型有较强的吸收峰.X粉末衍射也反映出α晶型在2θ为25.5°、26.3°上的衍射峰强度分别为1954、2603.α、β晶型分别作为电荷产生材料制得的功能分离型有机光导体,在光源波长λ=532nm曝光下,测得含α的感光体达到饱和电位的时间45s、半衰曝光量5.7μJ/cm2、残余电位22V等数据.测得含β的感光体达到饱和电位的时间49s、半衰曝光量9.9μJ/cm2、残余电位22V等性能数值.

正丁基苝四羧酸二酰亚胺的晶型和性能研究

文章合成了N，N’-二正丁基菲四羧酸二酰亚胺，并纯化、调晶，进行了IR、元素分析、X射线等测定。分析该化合物在DMF中的紫外光谱（最大吸收波长524．80nm）、荧光光谱（最大发射波长539．0nm）、Stokes位移（数值15nm）等光谱性质。存400-700nm范围内，α晶型薄膜紫外-可见吸收出现很强的吸收峰，且由β型变为α型，最大吸收波长有明显的红移（545nm变为580nm）。X射线粉末衍射也反映出α晶型的2θ在26．0。处衍射峰CPS为2508，β型在25．2。为1891。α，β晶型作为电荷产生材料制得的功能分离型有机光导体，在光源滤波波长λ=532nm曝光下，测得含α，β感光体达到饱和电位的时间分别为46，93．98s。光衰电位（5．3千伏电压负充电电晕，1～2S后的表面电位）分别为727和525V，半衰曝光量分别为4．32，4．34μJ·cm^-2，残余电位分别为30和45V等光导性能数值。