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AlGaN PIN结构紫外探测器研制和建模分析
被引量:
1
1
作者
周劲
郝一龙
武国英
《微纳电子技术》
CAS
2003年第7期422-425,共4页
紫外探测器在军事高科技和民品市场的紫外通信和成像方面具有很高的价值。探讨了Al GaNpin紫外探测器的制作工艺和材料及结构对器件性能的影响。提出改进
关键词
ALGAN
PIN结构
紫外探测器
铝镓氮化合物
性能
材料生长
下载PDF
职称材料
题名
AlGaN PIN结构紫外探测器研制和建模分析
被引量:
1
1
作者
周劲
郝一龙
武国英
机构
北京大学微电子学系mems研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2003年第7期422-425,共4页
文摘
紫外探测器在军事高科技和民品市场的紫外通信和成像方面具有很高的价值。探讨了Al GaNpin紫外探测器的制作工艺和材料及结构对器件性能的影响。提出改进
关键词
ALGAN
PIN结构
紫外探测器
铝镓氮化合物
性能
材料生长
Keywords
AlGaN
pin
ultraviolet detectors
分类号
TN23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlGaN PIN结构紫外探测器研制和建模分析
周劲
郝一龙
武国英
《微纳电子技术》
CAS
2003
1
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