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一种具有堆积抑制功能的半导体辐射探测器前端ASIC电路(英文)
1
作者
张雅聪
陈中建
+2 位作者
鲁文高
吉利久
赵宝瑛
《北京大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期54-58,共5页
提出了一种用于半导体辐射探测器读出的CMOS前端电路,该ASIC电路包含电荷灵敏放大器、跨导-电容型脉冲成形器、峰值检测/保持电路和甄别器,后两者结合一些逻辑电路实现了抑制脉冲成形器输出波形尾缘堆积的功能。该电路采用0.5μm、双硅...
提出了一种用于半导体辐射探测器读出的CMOS前端电路,该ASIC电路包含电荷灵敏放大器、跨导-电容型脉冲成形器、峰值检测/保持电路和甄别器,后两者结合一些逻辑电路实现了抑制脉冲成形器输出波形尾缘堆积的功能。该电路采用0.5μm、双硅三铝CMOS标准工艺设计,其核心模块电荷灵敏放大器和成形器经过了流片测试。仿真和测试结果验证了该电路的功能。
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关键词
辐射探测器
前端电路
堆积抑制
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职称材料
题名
一种具有堆积抑制功能的半导体辐射探测器前端ASIC电路(英文)
1
作者
张雅聪
陈中建
鲁文高
吉利久
赵宝瑛
机构
北京大学微电子研究院asic实验室
出处
《北京大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期54-58,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(40704025)
文摘
提出了一种用于半导体辐射探测器读出的CMOS前端电路,该ASIC电路包含电荷灵敏放大器、跨导-电容型脉冲成形器、峰值检测/保持电路和甄别器,后两者结合一些逻辑电路实现了抑制脉冲成形器输出波形尾缘堆积的功能。该电路采用0.5μm、双硅三铝CMOS标准工艺设计,其核心模块电荷灵敏放大器和成形器经过了流片测试。仿真和测试结果验证了该电路的功能。
关键词
辐射探测器
前端电路
堆积抑制
Keywords
radiation detector
front-end
pile-up rejection
分类号
TL82 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种具有堆积抑制功能的半导体辐射探测器前端ASIC电路(英文)
张雅聪
陈中建
鲁文高
吉利久
赵宝瑛
《北京大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
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