一种带宽可调的低通开关电容滤波器的设计

介绍了一种带宽可调的二阶低通开关电容滤波器,带宽调节范围为100～500Hz,调节精度约为100Hz。该滤波器用双层金属、双层多晶硅1.2μm的N阱MOS工艺实现,用于一个加速度传感器电路中。设计着重考虑了由时钟信号引起的、严重制约开关电路性能的各种因素,通过优化开关的时序,消除了电荷注入引起的非线性效应,并采用高电源电压抑制比的折叠结构运算放大器,以减轻电源噪声的影响,从而有效地改善了电路的精度。

HfO_2高k栅介质等效氧化层厚度的提取

分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正,得出HfO2高k栅介质的准确C-V特性.其次,给出了一种利用平带电容提取高k介质EOT的方法,该方法能克服量子效应所产生的反型层或积累层电容的影响.采用该两步法提取的HfO2高k栅介质EOT与包含量子修正的Poisson方程数值模拟结果对比,误差小于5%,验证了该方法的正确性.

电容式触摸感应技术中的电容物理学

采用不同的电路算法时,不同物理特性的电容对最终的感应信号有不同的影响。高性能的电容触摸技术开发要求工程师对触摸屏的电容性质和物理机制有透彻的理解和清醒的认识。本文运用电力线基本原理,对分布在触摸屏上的不同电容特性进行了深入的分析。

3.1～10.6GHz超宽带低噪声放大器设计

采用标准0．35μm SiGe HBT工艺设计了工作频段在3．1～10．6GHz的超宽带低噪声放大器。从宽带电路和高频电路设计的器件选择、电路结构选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计。结果表明，通过合适的电路结构和器件参数选择，可以采用0．35μm SiGe HBT工艺制备满足超宽带系统要求的低噪声放大器。在整个工作频段内所设计的低噪声放大器输入输出匹配S11和S22均优于-8dB，噪声系数为3．5dB，电路的工作电压为2．5V。电流消耗为4．38mA。

低功耗异或同或电路的设计研究

提出了2种传输管实现的新型低功耗异或门结构,UPPL(UnsymmetricalPushPullPassTransistorLogic)结构和CPPL(ComplementaryPushPullPassTransistorLogic)结构,两者均为非互补输入,互补输出,都能够同时产生异或和同或信号,且输出为全摆幅电压。对新结构在0.18μm工艺1.8V电压下进行了hspice仿真,与已有同类电路在速度、功耗和功耗延迟乘积方面进行了比较。UPPL结构和CPPL结构与2003年MohamedElgamel提出的最新设计相比,空负载时,功耗延迟乘积项分别有61.0%和58.4%的降低;扇出为3时,分别有25.3%和45.3%的降低。

MEMS陀螺振动特性试验技术

对于MEMS振动陀螺来说,找到一个快速有效的方法来评估其结构参数是非常重要的,比如谐振频率和阻尼系数,应根据微机械陀螺设计和制作的不同阶段,从测试精度、测试速度和试验方便程度等方面考虑,采用不同的方法进行动态试验。本文给出了一种能够判断MEMS器件振动特性的可靠的电测试系统,并通过分析和实验比较了几种微机械陀螺振动系统传递函数的快速测定方法,分析讨论了微机械陀螺振动系统测试方法和数据处理等问题。

SiP—实现真正意义SoC的可行途径

1 单片SoC的局限SoC问世之初，人们对它寄予厚望，憧憬着“系统芯片”的美好未来，那是上个世纪90年代的事。将近20年过去，以嵌入IP为特征的SoC，不断扩展工艺内涵，朝着实现“系统芯片”的目标努力。也许是当初人们的期望过高，也许是因为“系统”的内涵太泛，目前SoC可以实现的只能算是子系统，还没有达到在芯片上实现真正意义系统的水平。

一种曲率补偿CMOS带隙基准源(英文)

介绍了一种可提供1.438 V基准电压的曲率补偿带隙基准源.采用一种极其简单有效的方法,直接实现曲率补偿.该电路采用双金属双多晶硅0.6 μm CMOS工艺制造,用于驱动一个10位20 MS/s A/D转换器.仿真结果显示,该带隙基准源在室温5 V电源电压下,仅耗用64 μA电流;0～80°C范围内,温度系数为13.7 ppm/K, 电源电压抑制比为64.7 dB.

一种用有限元工具仿真水平轴微陀螺解耦性能的方法

提出了一种用有限元工具ANSYSTM的谐响应分析功能仿真陀螺在模态频率下位移的方法。利用这种方法,仿真得到了陀螺模态间的机械耦合,并通过测试对仿真结果进行了验证。这种方法还能仿真由于工艺误差造成的结构不对称性对陀螺性能的影响,并证明了双解耦性能有利于抑制这种不对称带来的误差。

王乐亭“督脉十三针”治疗进行性核上性麻痹临床观察

目的观察王乐亭"督脉十三针"治疗进行性核上性麻痹(PSP)7例的临床疗效。方法选择2016年1月—2018年12月首都医科大学附属北京中医医院针灸科门诊及病房就诊的PSP患者7例,给予王乐亭"督脉十三针"进行治疗,1次/d,每次留针30 min,每周3次,隔日1次,共治疗12周。治疗前后采用PSP评定量表(PSP rating scale,PSPRS)对7例患者进行评分,该量表内容包括病史、精神行为状态、球麻痹症状、眼球运动、肢体运动、步态及中线。结果 7例患者均完成治疗;治疗后病史、肢体症状、步态与中线症状评分与治疗前比较降低,差异有统计学意义(P<0.05);1例患者无效,治疗前后评分无变化。结论王乐亭"督脉十三针"法治疗PSP有效,尤其对疾病早期患者效果更好。

基于遗传算法的测试访问机制最优化

讨论了使测试访问机制最优化的几个问题,然后试着采用遗传算法来解决这些问题,在两个SoC上用遗传算法进行实验,把实验结果与采用整数线性规划方法(Integer Linear Programming,ILP)的结果进行比较可以发现效果改善的很明显。实验结果说明采用遗传算法对测试访问机制进行最优化处理的效果要好于ILP。

24位高精度音频ΣΔDAC

文章介绍了一种应用于高品质音频领域的24位ΣΔ数-模转换器(ΣΔDAC)。用两个半带滤波器和一个梳状滤波器来实现64倍的过采样。优化设计选择了多位ΣΔ调制器用CT输出级用来实现高信噪比,并降低系统对时钟抖动的敏感度。DWA算法被用来实现数字-模拟接口的线性特性。整个DAC的信噪比达到96dB,动态范围90dB。采用中芯国际0.13#m工艺,整个电路面积为1.5mm2。

低压中和化CMOS差分低噪声放大器设计

以设计低电压LNA电路为目的,提出了一种采用关态MOSFET中和共源放大器输入级栅漏寄生电容Cgd的CMOS差分低噪声放大器结构.基于该技术,采用0.35μmCMOS工艺设计了一种工作在5.8GHz的低噪声放大器.结果表明,在考虑了各种寄生效应的情况下,该低噪声放大器可以在0.75V的电源电压下工作,其功耗仅为2.45mW.在5.8GHz工作频率下:该放大器的噪声系数为2.9dB,正向增益S21为5.8dB,反向隔离度S12为-30dB,S11为-13.5dB.

一个用于流水线模数转换器的高精度、低功耗采样保持电路

介绍了一个用于高精度模数转换器,采用0·25μmCMOS工艺的高性能采样保持电路。该采样保持电路的采样频率为20MHz,允许最大采样信号频率为10MHz,在电源电压为2·5V的情况下,采样信号全差分幅度为2V。通过采用全差分flip-around结构,而非传统的电荷传输构架,因而在同等精度下,大大降低了功耗。为了提高信噪比,采用自举开关。Hspice仿真结构显示:在输入信号为5MHz的情况下,无杂散动态范围(SFDR)为92·4dB.该电路将被用于一个14位20MHz流水线模数转换器。

应用于时频分析的低功耗短时傅里叶变换处理器(英文)

提出了一个应用于时频分析的短时傅里叶变换处理器。为了克服已有的离散短时傅里叶变换算法和结构的缺点,给出了一种基于快速傅里叶变换阵列的新结构。根据实际需要提出了一种新的高频域分辨率的SDF(Single-path De-lay Feedback)结构FFT单元,和传统的SDF结构FFT单元相比,反馈FIFO的深度和蝶形单元的数量都有所降低。再加上开发窗函数的对称性和适当合并硬件资源,与原始设计相比处理器的功耗降低了20%。使用中芯国际0.18微米工艺实现之后,系统工作时钟可以达到200MHz,即该处理器可以满足同样频率的采样信号的实时时频分析需求。

一种高速片内电流监控器实现

静态电流(IDDQ)测试的实现方法研究是IDDQ测试领域的重要内容之一,高速、高精度是共同追求的目标。通过分析测试向量改变时流过被测电路的电源电流变化情况,得出制约IDDQ测试速度的主要因素。基于此,采用CMOS0.5μm工艺参数、SPICE仿真工具和模拟集成电路设计规则,提出一种快速、高精度的BICS(片内电流监控器)的设计方案。设计中利用辅助的PMOS开关管和延迟电路,有效地解决测试速度问题。设计出的电路达到了100MHz的测试速率、1A测量精度、500mV的最大电源电压降、50μA以上的故障电流检测能力,可以满足一定的实际应用需要。

电容式触摸屏成品率控制的蒙特卡罗系统仿真

深入理解某个应用的数据访问方式,可以充分利用处理器潜在的存储器和系统资源,从而开发可扩展的并行应用。

NiSi金属栅电学特性的热稳定性研究

研究了NiSi金属栅的各种电学特性及其热稳定性,提出一个物理模型用于解释当形成温度大于500℃时NiSi功函数随退火温度升高而增大的现象.测量了不同退火温度形成的NiSi材料的方块电阻,当退火温度大于400℃时,方块电阻达到最小,并在400—600℃范围内稳定.比较各种温度下形成的NiSi材料X射线衍射谱的变化,说明温度在400—600℃范围内NiSi相为最主要的成分.制备了以NiSi为金属栅的金属氧化物半导体电容.通过等效氧化层电荷密度及击穿电场Ebd的分布研究,说明炉退火时间较长将导致NiSi金属栅与栅介质之间界面质量下降、击穿电场降低,这种退火方式不适合作为NiSi金属栅的形成方式.系统研究了在各种快速热退火(RTA)温度下形成的NiSi金属栅电容的电学特性,通过C-V,Ig-Vg曲线及氧化层等效电荷密度的比较,说明了当RTA温度大于500℃时栅介质质量明显退化,因此400—500℃为理想的NiSi金属栅形成温度范围.进一步提取并分析了400,450,500和600℃条件下RTA形成的NiSi金属栅功函数及等效氧化层电荷,发现在600℃条件下NiSi金属栅功函数和氧化层等效电荷都有一个显著的增大.

针药结合治疗特发性震颤9例

特发性震颤(essentialtremor,ET)又称原发性震颤,属于中枢神经系统的退行性病变,是一种典型的动作性或姿势性震颤,主要表现为双上肢震颤(90%~95%),也可表现为其他部位如头部(30%)、双下肢(10%~15%)的震颤以及语音震颤(20%)等[1]。约60%的患者有家族史,多数患者在65~70岁前完全外显[2]。ET发病率随年龄的增加而显著增加.