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SIMOX技术及CMOS/SIMOX器件的研究与发展
被引量:
2
1
作者
王阳元
陈南翔
王忠烈
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第5期75-80,共6页
SIMOX技术是最具有发展前途的SOI技术之一。在发展薄硅层、深亚微米OMOS/SOI集成电路中,SIMOX技术占有极其重要的地位。本文综述了SIMOX基片的形成、高质量SIMOX基片的制备方法。阐述了薄硅层OMOS/SIMOX器件的工艺特点以及器件的性能特...
SIMOX技术是最具有发展前途的SOI技术之一。在发展薄硅层、深亚微米OMOS/SOI集成电路中,SIMOX技术占有极其重要的地位。本文综述了SIMOX基片的形成、高质量SIMOX基片的制备方法。阐述了薄硅层OMOS/SIMOX器件的工艺特点以及器件的性能特点。本文也就SIMOX技术及GMOS/SIMOX器件的研究现状及发展趋势进行了讨论。
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关键词
薄硅层
集成电路
离子注入
绝缘体
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职称材料
题名
SIMOX技术及CMOS/SIMOX器件的研究与发展
被引量:
2
1
作者
王阳元
陈南翔
王忠烈
机构
北京大学徽电子学研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第5期75-80,共6页
文摘
SIMOX技术是最具有发展前途的SOI技术之一。在发展薄硅层、深亚微米OMOS/SOI集成电路中,SIMOX技术占有极其重要的地位。本文综述了SIMOX基片的形成、高质量SIMOX基片的制备方法。阐述了薄硅层OMOS/SIMOX器件的工艺特点以及器件的性能特点。本文也就SIMOX技术及GMOS/SIMOX器件的研究现状及发展趋势进行了讨论。
关键词
薄硅层
集成电路
离子注入
绝缘体
Keywords
Silicon on Insulator (SOI), Separation by IMplantation of OXygen (SIMOX), Ion implantation, Anneal, Metal-Oxide-Semiconductor (MOS)
分类号
TN451 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
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1
SIMOX技术及CMOS/SIMOX器件的研究与发展
王阳元
陈南翔
王忠烈
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992
2
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