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SIMOX技术及CMOS/SIMOX器件的研究与发展
被引量:
1
1
作者
王阳元
陈南翔
王忠烈
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第5期75-80,共6页
SIMOX技术是最具有发展前途的SOI技术之一。在发展薄硅层、深亚微米OMOS/SOI集成电路中,SIMOX技术占有极其重要的地位。本文综述了SIMOX基片的形成、高质量SIMOX基片的制备方法。阐述了薄硅层OMOS/SIMOX器件的工艺特点以及器件的性能特...
SIMOX技术是最具有发展前途的SOI技术之一。在发展薄硅层、深亚微米OMOS/SOI集成电路中,SIMOX技术占有极其重要的地位。本文综述了SIMOX基片的形成、高质量SIMOX基片的制备方法。阐述了薄硅层OMOS/SIMOX器件的工艺特点以及器件的性能特点。本文也就SIMOX技术及GMOS/SIMOX器件的研究现状及发展趋势进行了讨论。
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关键词
薄硅层
集成电路
离子注入
绝缘体
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职称材料
多陷阱相干效应对氧化层电流弛豫谱的影响
被引量:
4
2
作者
许铭真
谭长华
+1 位作者
刘晓卫
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第5期25-32,共8页
本文用单陷阱产生一俘获模型和一级电场因子近似弛豫函数研究了“多陷阱相干效应”对簿栅氧化层电流弛豫谱(OCRS)的影响。给出了高场下、多陷阱共存时,各陷阱OCRS峰并存的条件和峰位、峰值的修正公式。
关键词
薄SIO2
陷阱
相干效应
氧化层
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职称材料
不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型
被引量:
2
3
作者
魏希文
李建军
+4 位作者
马平西
邹赫麟
王阳元
张利春
吉利久
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第9期528-538,共11页
本文提出了一个不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型,根据多晶/单晶硅界面的性质空穴分别以隧道方式或热发射方式通过界面的不同部位.计算机模拟的结果得到了类氧化层界面的连续性、多晶硅膜厚、类氧化层两边的界面态密度、...
本文提出了一个不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型,根据多晶/单晶硅界面的性质空穴分别以隧道方式或热发射方式通过界面的不同部位.计算机模拟的结果得到了类氧化层界面的连续性、多晶硅膜厚、类氧化层两边的界面态密度、类氧化层厚度和多晶/单晶硅界面杂质浓度峰值等参数与多晶硅发射极晶体管(PET)电学特性的关系.
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关键词
氧化层
界面
多晶硅
晶体管
模型
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职称材料
题名
SIMOX技术及CMOS/SIMOX器件的研究与发展
被引量:
1
1
作者
王阳元
陈南翔
王忠烈
机构
北京大学
徽
电子
学
研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第5期75-80,共6页
文摘
SIMOX技术是最具有发展前途的SOI技术之一。在发展薄硅层、深亚微米OMOS/SOI集成电路中,SIMOX技术占有极其重要的地位。本文综述了SIMOX基片的形成、高质量SIMOX基片的制备方法。阐述了薄硅层OMOS/SIMOX器件的工艺特点以及器件的性能特点。本文也就SIMOX技术及GMOS/SIMOX器件的研究现状及发展趋势进行了讨论。
关键词
薄硅层
集成电路
离子注入
绝缘体
Keywords
Silicon on Insulator (SOI), Separation by IMplantation of OXygen (SIMOX), Ion implantation, Anneal, Metal-Oxide-Semiconductor (MOS)
分类号
TN451 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
多陷阱相干效应对氧化层电流弛豫谱的影响
被引量:
4
2
作者
许铭真
谭长华
刘晓卫
王阳元
机构
北京大学徽电子研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第5期25-32,共8页
文摘
本文用单陷阱产生一俘获模型和一级电场因子近似弛豫函数研究了“多陷阱相干效应”对簿栅氧化层电流弛豫谱(OCRS)的影响。给出了高场下、多陷阱共存时,各陷阱OCRS峰并存的条件和峰位、峰值的修正公式。
关键词
薄SIO2
陷阱
相干效应
氧化层
Keywords
Thin SiO2, Trap,Interference effect,Oxide current relaxation spectroscopy.
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型
被引量:
2
3
作者
魏希文
李建军
马平西
邹赫麟
王阳元
张利春
吉利久
机构
大连理工
大学
半导体
研究
室
北京大学徽电子研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第9期528-538,共11页
文摘
本文提出了一个不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型,根据多晶/单晶硅界面的性质空穴分别以隧道方式或热发射方式通过界面的不同部位.计算机模拟的结果得到了类氧化层界面的连续性、多晶硅膜厚、类氧化层两边的界面态密度、类氧化层厚度和多晶/单晶硅界面杂质浓度峰值等参数与多晶硅发射极晶体管(PET)电学特性的关系.
关键词
氧化层
界面
多晶硅
晶体管
模型
分类号
TN325.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SIMOX技术及CMOS/SIMOX器件的研究与发展
王阳元
陈南翔
王忠烈
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992
1
下载PDF
职称材料
2
多陷阱相干效应对氧化层电流弛豫谱的影响
许铭真
谭长华
刘晓卫
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992
4
下载PDF
职称材料
3
不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型
魏希文
李建军
马平西
邹赫麟
王阳元
张利春
吉利久
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992
2
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职称材料
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