金属In与掺Nb的SrTiO_3金属半导体接触研究

研究了金属In与掺不同Nb浓度的SrTiO3(Nb-STO)衬底之间构成的金属半导体结(金-半结)。测量了不同温度下的I-V曲线。在掺杂浓度为0.05wt.%衬底构成的金-半结I-V曲线中,反向电压部分得到的有效因子n在1.05～1.10之间,且随温度变化很小,而正向的n很大,表明出势垒随着偏压的变化改变很大。金属In与Nb-STO衬底之间构成的金-半结在浓度为0.05wt.%和0.7wt.%的掺杂情况下,结点都表现出非线性的I-V关系,均不能视为欧姆接触。