锗硅表面结构和动态过程的STM研究

本文综述了我们利用扫描隧道显微镜和低能电子衍射对锗硅表面结构和动态过程进行的系统化和比较性的研究。研究结果除了具有重要的基础意义外 ,对半导体异质外延生长衬底选择以及量子线和量子点自组织生长模板的选择都有指导意义。

STM在纳米科技中的应用几例

本文简述了我们用超高真空ＳＴＭ在介观物理和纳米科技前沿领域做的一些探索和结果。

利用近场光谱研究GaN蓝光二极管的杂质发光

运用近场光谱方法研究了在蓝宝石衬底上用低压ＭＯＣＶＤ方法外延生长的ＧａＮ蓝光二极管的杂质发光光谱。研究结果表明近场光谱为研究样品表面微观发光机理中提供了一个有力的手段，它能够给出样品表面微区空间分辨的局域光谱信息。本文给出了研究中所观察到的一些实验现象。

锗硅表面结构和动态过程的STM研究

尽管作为微电子工业的基础 ,硅和锗的表面和界面几十年来一直是研究的热点 ,但和纳米技术等不断提出的问题相比 ,对它们的了解仍很不够 .为此 ,最近我们用扫描隧道显微镜和低能电子衍射方法 ,对锗硅表面的稳定性、宏观小面化、纳米小面化、小面化的规律、稳定表面的比自由能、表面原子结构以及表面和亚表面原子的动态过程进行了大量的系统的研究 .文章综述已取得的研究结果 .这些结果除具有重要的基础意义外 ,对半导体异质外延生长衬底选择 ,以及量子线和量子点自组织生长模板的选择都会有帮助 .

纳米尺度的光学成像与纳米光谱———近场光学与近场光学显微镜的进展

近场光学是指当光探测器及探测器－样品间距均小于辐射波长条件下的光学现象．利用近场光学扫描显微镜和近场光谱仪，不但能够以突破衍射极限的超高分辨率在纳米尺度实现光学成像，而且还可获得纳米微区的光谱信息．文章介绍近场光学的原理及其在凝聚态物理领域中的应用与进展。