射频等离子体放电的宏观参数与PET表面改性的关系

通过射频等离子体放电，采用O2，CF4及CH4／CF4混合气体等离子体对PET表面进行处理。改变射频等离子体放电的宏观参数，如放电时间、放电功率、电极间距离和复合参数，详细地研究了这些参数对PET表面改性的影响。结果表明：碳氟混合气体等离子体在PET表面的沉积速率为正值，在PET表面形成了聚合物；而O2和纯CF4气体的沉积速率为负值，两者在PET表面产生刻蚀效应。增加等离子体放电功率和放电时间，聚合或刻蚀效果更明显；而增加电极间距离和复合参数，聚合或刻蚀效果明显减弱。

RE_(1-x)T_xMnO_3氧化物的结构,电磁特性和巨磁电阻

ＲＥＭｎＯ３（ＲＥ＝Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｃｄ等）具有钙钛矿结构。如用二价碱土金属部分替代稀土元素，可形成掺杂锰氧化物ＲＥ１－ｘＴｘＭｎＯ３（Ｔ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｐｂ）。随掺杂量的增加，样品的结构和电磁性能都有很大变化。近年来在这类氧化物中还发现巨大的负磁电阻效应，其值可达１０６％。这类材料显示的复杂物理现象和可能的应用前景引起人们很大的兴趣。本文将概括的介绍这类氧化物的晶格结构，电子结构，电磁性能及其巨磁电阻随掺杂变化的实验结果，并对其可能的机理进行探讨。

氧化镓纳米带的制备研究

纳米带是继纳米线、纳米管之后 ,最新报道的又一种准一维纳米结构。文中介绍了 Ga2 O3纳米带制备的新方法。这种方法与首次报道的纳米带的生长方法有很大不同。用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物形貌进行了分析 ,纳米带宽约 5 0 0 nm,厚度约 1 0 nm,宽度 /厚度比大于 2 0。选区电子衍射 (SAED)分析表明 ,产物是纯净的 Ga2 O3单晶。实验还发现了一些特殊形态的纳米结构 ,如纳米片等 ,证明了纳米带是一种常见并稳定存在的形态。最后 ,根据实验现象对纳米带的生长机制进行了初步的分析与讨论。

InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究

利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了ＩｎＧａＡｓＰ单量子阱微盘激光器，并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡，证实了微盘激光器中微盘很强的模式选择作用，反映了微盘的微腔特征．

氧化亚铜在聚氯乙烯燃烧热降解中的作用

研究了过渡金属氧化物在聚氯乙烯（ＰＶＣ）热降解过程中的作用．利用傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）、热重分析（ＴＧＡ）、Ｘ射线光电子光谱（ＸＰＳ）及锥形量热仪（ＣＯＮＥ）等测试技术对Ｃｕ２Ｏ在ＰＶＣ燃烧热降解过程中的作用进行了详细的研究．从实验上证明了Ｃｕ２Ｏ的存在能促进ＰＶＣ在热降解过程中更易脱ＨＣｌ，使ＰＶＣ降解过程中的成炭量大大增加，提高了其阻燃性能．

氮化物半导体GaN的光辅助湿法腐蚀

本工作报道了一种光辅助湿法腐蚀半导体氮化物ＧａＮ的新方法．这一腐蚀技术具有简单，易控制和低损伤等优点．采用２００Ｗ汞灯辐照和ＮａＯＨ溶液腐蚀可得到几百纳米／分的腐蚀速率．

准一维纳米结构的电子显微学研究

自从１９９１年，Ｉｉｊｉｍａ发现纳米碳管［１］以来，一系列准一维纳米材料被相继用不同方法合成出来。由于其独特的结构特性和因此而具有的不同于体材料的新颖的物理性质，这些准一维纳米材料有着很大的基础研究价值和潜在的应用价值，因而受到人们的广泛研究和关注。...

MOCVD生长AlGaAs-GaAs DBR及其特性

本文报导了任意铝组分的AlGaAs材料的MOCVD外延生长和控制,解决了MOCVD生长高铝组分AIGaAs这一难题。国内首次运用MOCVD技术生长出高反射率的适合于垂直腔面发射激光器的AlGaAs-GaAs四分之一波长的分布布拉格反射镜(DBR)结构。用高分辨透射电镜观察得出,该DBR有良好的周期性、厚度均匀和界面平直。测得其反射率为94％,响应波长为820nm-868nm。

Ⅲ—Ⅴ氮化物与蓝光LEDs(Ⅰ)

回顾了Ⅲ—Ⅴ氮化物材料和GaN-based蓝光LED的研究状况及近期的重大进展,分成两部分先后在本刊发表,首先简要地概述了GaN及其有关化合物的晶体生长技术,较为详细地讨论了衬底选择和外延层的晶体结构。

PET表面的碳氟等离子体改性及其表面动力学的研究 Ⅲ.表面能分析方法在表面动力学中的应用

ＰＥＴ表面的碳氟等离子体改性及其表面动力学的研究Ⅲ．表面能分析方法在表面动力学中的应用张亮＊（北京大学物理系介观物理国家重点实验室北京１００８７１）王建祺张新生（北京理工大学化工与材料学院北京）（北京教育学院宣武区分院北京）关键词聚对苯二甲酸乙二醇酯...

聚对苯二甲酸乙二酯膜的表面碳氟等离子体改性及XPS取样深度与接触角间的关系

高聚物界面的能量、结构等性质，对理论研究和实际应用都是极为重要的．因为许多聚合物材料都具有一个或多个界面的多相结构，这些界面的结构和强度等，显著地影响着这些多相材料的物理、力学性能等，而它们之间的关系，是一个极为复杂的问题，只有综合界面科学、流变学、...

宽禁带GaN基半导体激光器进展

宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体是 2 0世纪末研究最活跃的半导体材料系 ,其高亮度发光二极管和激光器一出现即以惊人的速度实现了商品化。文章就GaN基半导体激光器的市场需求、蓝宝石基片上生长的氮化镓基激光器的研制和发展概况以及近期研究热点作了扼要介绍。

不同入射角PrBa_2Cu_3O_(6.3)薄膜的红外和远红外反射谱

报道了入射角分别为７°、１２°、３０°的ｃ轴取向ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３薄膜材料的红外和远红外反射谱．薄膜样品的基底是Ｙ－ＺｒＯ２．在入射角为１２°和７°的反射谱中观察到６个反射峰，分别位于１１０、１６８、２４０、３５０、５７０和６３５ｃｍ－１，它们分别对应于６个ａ－ｂ平面振动的Ｅｕ声子模．在入射角为３０°的反射谱中增加了位于４６５ｃｍ－１的峰，此峰是沿着ｃ轴振动的Ａ２ｕ模．比较３不同厚度薄膜样品的红外光谱。

微光学元件飞秒激光制备

超短脉冲激光不仅使人们得以在飞秒级时间分辨下研究物理、化学、生物学和光电子学等学科中的各类瞬态动力学过程，也使人们得以用很低的脉冲能量获得极高的峰值光强。近年来，利用飞秒激光的多光子过程进行微加工和微制备得到了广泛关注。由于飞秒激光脉冲持续时间极短，激光辐照区域淀积的能量难以通过热辐射途径逸出辐照区域。

纳米硅量子线的平均直径和气压的依赖关系

近几年来，纳米半导体材料的研究吸引了材料及物理学家的浓厚兴趣。纳米硅量子线的成功合成［１，２］使得对低维纳米半导体材料的物理性质的研究成为可能。本文提供了一种控制纳米硅量子线平均直径的方法，同时研究了不同气压下得到的纳米硅量子线的一些特殊形态。在本实...

磁场对PET表面碳氟等离子体改性的影响Ⅱ.磁场位形与PET表面改性的关系

研究了不同磁场条件下碳氟等离子体对涤纶（ＰＥＴ）表面改性的影响，通过变角Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）方法研究改性后ＰＥＴ表面结构和性质的变化，并探讨了磁场对碳氟等离子体改性的影响。实验结果表明，在磁场存在的条件下，碳氟等离子体处理ＰＥＴ的表面结构和性质的变化，依赖于磁场的强度而不是磁场的分布；磁场强度的增强，导致了改性后ＰＥＴ表面Ｆ／Ｃ比的提高及等离子体聚合或刻蚀程度的加强。

时空高分辨飞秒近场光谱学

飞秒激光和近场光学(SNOM)是近年来光科学的两大重要进展．它们分别产生了超快光谱和纳米小尺度光测量两个崭新研究领域．结合飞秒激光脉冲高时间分辨和SNOM小尺度空间光学探测的优势，实现时间和空间小尺度同时测量是进一步发展的趋势．本报告将综述国际在这一方面研究的进展并结合北大的研究工作，讨论这一系统组合存在的小信号探测、脉冲啁啾补偿等困难和问题以及应用和发展前景．

基于二维表面等离子体激元的微结构

在介电常数符号相反的两个材料的界面处可激发出表面等离子体激元 (Surface plasmon)。文中利用普通扫描电子显微镜中出现的电子束诱导沉积纳米碳基本现象 ,提出和发展了一种无需光刻胶和额外掩模的亚微米图形化技术。采用这一新方法 ,成功地在镀金的半导体 In Ga Al P量子阱表面制备了各种亚微米点阵结构 。