MOCVD生长AlGaAs-GaAs DBR及其特性

本文报导了任意铝组分的AlGaAs材料的MOCVD外延生长和控制,解决了MOCVD生长高铝组分AIGaAs这一难题。国内首次运用MOCVD技术生长出高反射率的适合于垂直腔面发射激光器的AlGaAs-GaAs四分之一波长的分布布拉格反射镜(DBR)结构。用高分辨透射电镜观察得出,该DBR有良好的周期性、厚度均匀和界面平直。测得其反射率为94％,响应波长为820nm-868nm。

Ⅲ—Ⅴ氮化物与蓝光LEDs(Ⅰ)

回顾了Ⅲ—Ⅴ氮化物材料和GaN-based蓝光LED的研究状况及近期的重大进展,分成两部分先后在本刊发表,首先简要地概述了GaN及其有关化合物的晶体生长技术,较为详细地讨论了衬底选择和外延层的晶体结构。

Ⅲ—Ⅴ氮化物与蓝光LEDs(Ⅱ)

文中主要讨论GaN背景载流子浓度和掺杂问题,以及GaN-based异质结构与器件应用,在结论中给出了进一步深入研究的几个主要问题。

脉冲激光沉积法原位后退火生长MgB_2薄膜的研究

采用脉冲激光沉积的方法在Al2O3(0001)基片上先生成MgB混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成MgB2超导薄膜,采用磁测量(MT)、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对MgB2超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影响。在沉积温度为200℃,退火时间5min时,改变退火温度得到一组薄膜,研究退火温度对超导薄膜性质的影响,得到了转变温度退火温度曲线。在退火温度为670℃、720℃时,得到了最高的临界转变温度Tc=33K,X射线衍射结果表明此时的薄膜有c轴取向。同时比较了在200℃下沉积,在670℃下分别退火不同时间的薄膜的超导性质。还比较了分别在不同温度下沉积,然后在670℃下退火5min的薄膜的超导性质。结果表明,沉积温度和退火温度、退火时间极大的影响了薄膜的各种性质。

甘氨酸在Cu(111)表面吸附的扫描隧道显微镜研究

用超高真空扫描隧道显微镜 (UHV -STM)研究了室温下甘氨酸在Cu( 111)表面的吸附行为 .实验发现 ,在低覆盖度下甘氨酸分子在表面表现为二维气体 .当覆盖度足够高时 ,甘氨酸分子最终会形成二维固相结构 ,为 ( 4× 8)超结构 .针对这种结构提出了两种可能的结构模型 ,模型能够很好地解释STM图 .当覆盖度介于气相和固相之间时 ,根据蒸镀条件和退火条件的不同 ,表面可能出现两种不同的中间相 ,一种为条纹结构 ,另一种为六角结构 。

色散位移光纤中零色散波长纵向分布对四波混频转换效率的影响

研究了色散位移光纤零色散区域附近的四波混频特性 ,讨论了当零色散波长彼此不同的多段光纤连接起来后对四波混频效率的影响。理论计算结果表明 ,在信号光和抽运光波长间隔较小的区域 ,各光纤对四波混频过程都有贡献 ,且互相调制 ,并出现增益现象 ,有着很复杂的效率图。

单模光纤布拉格反射滤波器

采用非对称五层光波导模型，分析了光纤布拉格反射滤波器特性，讨论实现窄带和宽带高反射滤波器的结构参数．文中报道关于光纤布拉格反射滤波器的实验研究，包括制作工艺和测试方法．典型的光纤布拉格反射滤波器在１．５μｍ波段的反射率达８０％，带宽１．５ｎｍ．