简化的非晶硅薄膜晶体管模型

本文基于两点基本假设,提出了一个简化的非晶硅薄膜场效应晶体管模型,在整个电压范围内,得到了电流的解析表达式.与现有的实验结果进行拟合,理论值与实验值符合良好.本文还分析了非晶硅薄膜晶体管输出特性中源漏串联电阻效应,结果表明,源漏串联电阻受栅压调制,近似与栅压的平方成反比.本文还解释了开启电压随温度线性变化规律.模型可用于优化非晶硅薄膜晶体管的设计.

用复合谐振腔法测量介质谐振器材料的介电特性

本文根据Barlow提出的在TE(01n)模谐振腔上耦合一段截止波导构成复合腔的原理，首次在C波段对介质谐振器材料的介电性能进行了测量，并从理论上证明了该方法对相对介电系数有很高的测试灵敏度，本文给出了几种介质谐振器材料的测试结果，最后就样品厚度对测试精度的影响作了分析。