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外差式相干探测时域光谱仪对磷化铟(InP)晶片的超宽频带太赫兹光谱的探测
被引量:
1
1
作者
张亮亮
张锐
+1 位作者
徐晓燕
张存林
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期322-325,共4页
磷化铟(InP)属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,在毫米波的应用中展示出了高性能,在非线性太赫兹器件应用上具有很大的潜力。以前关于InP的研究主要集中于太赫兹频率在0.1~4THz的频率范围内,在4~10THz频率范围内InP的太赫兹光学数据还是空...
磷化铟(InP)属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,在毫米波的应用中展示出了高性能,在非线性太赫兹器件应用上具有很大的潜力。以前关于InP的研究主要集中于太赫兹频率在0.1~4THz的频率范围内,在4~10THz频率范围内InP的太赫兹光学数据还是空白。该研究利用空气等离子体相干探测太赫兹波的时域光谱系统研究了无掺杂的InP晶片在超宽THz频率范围(0.5~18THz)内的光学特性,实验中用电离的空气作为太赫兹的发射器和探测器,利用可以调制的局部偏压诱导二次谐波产生,使在气体中太赫兹波的相干探测成为可能,明显提高了系统的动态范围和灵敏度。产生的太赫兹频谱宽度主要被激光脉冲持续时间所限制,太赫兹脉冲通过InP晶片后相对于参考脉冲会延迟,同时振幅会降低。另外,太赫兹信号的频谱振幅在6.7~12.1THz范围内下降到本底噪声。同时还可以看出InP晶片在6.7~12.1THz频率范围内不透光,在0.8~6.7THz以及12.1~18THz频率范围内InP的吸收系数相对较低,特别是在15~17.5THz范围内吸收系数很低并且保持相对稳定,与此同时它的折射率单调增加。这些发现将有助于基于InP晶片的非线性太赫兹器件设计。
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关键词
磷化铟
超宽频带太赫兹光谱
光学特性
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职称材料
题名
外差式相干探测时域光谱仪对磷化铟(InP)晶片的超宽频带太赫兹光谱的探测
被引量:
1
1
作者
张亮亮
张锐
徐晓燕
张存林
机构
北京太赫兹光谱重点实验室
北京
大学工程学院
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期322-325,共4页
基金
国家自然科学基金项目(11374007)
全国优秀博士论文项目(201237)
香江学者计划项目(G-YZ53)资助
文摘
磷化铟(InP)属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,在毫米波的应用中展示出了高性能,在非线性太赫兹器件应用上具有很大的潜力。以前关于InP的研究主要集中于太赫兹频率在0.1~4THz的频率范围内,在4~10THz频率范围内InP的太赫兹光学数据还是空白。该研究利用空气等离子体相干探测太赫兹波的时域光谱系统研究了无掺杂的InP晶片在超宽THz频率范围(0.5~18THz)内的光学特性,实验中用电离的空气作为太赫兹的发射器和探测器,利用可以调制的局部偏压诱导二次谐波产生,使在气体中太赫兹波的相干探测成为可能,明显提高了系统的动态范围和灵敏度。产生的太赫兹频谱宽度主要被激光脉冲持续时间所限制,太赫兹脉冲通过InP晶片后相对于参考脉冲会延迟,同时振幅会降低。另外,太赫兹信号的频谱振幅在6.7~12.1THz范围内下降到本底噪声。同时还可以看出InP晶片在6.7~12.1THz频率范围内不透光,在0.8~6.7THz以及12.1~18THz频率范围内InP的吸收系数相对较低,特别是在15~17.5THz范围内吸收系数很低并且保持相对稳定,与此同时它的折射率单调增加。这些发现将有助于基于InP晶片的非线性太赫兹器件设计。
关键词
磷化铟
超宽频带太赫兹光谱
光学特性
Keywords
InP
Ultra-broadband terahertz spectroscopy
Optical property
分类号
O657.3 [理学—分析化学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
外差式相干探测时域光谱仪对磷化铟(InP)晶片的超宽频带太赫兹光谱的探测
张亮亮
张锐
徐晓燕
张存林
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
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职称材料
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参考文献
引证文献
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