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GaAs-AlGaAs外延结构中微区应力的电子背散射衍射分析 被引量：2
1
作者 田彦宝 吉元 +4 位作者 王俊忠 张隐奇 关宝璐 郭霞 沈光地 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期515-518,522,共5页
采用电子背散射衍射（EBSD）技术，以30～40nm的空间分辨率，显示GaAs—AlGaAs外延结构中的应力分布。将菊池花样质量JQ和Hough峰，以及晶格错配和局部转动等测量参数作为应力敏感参数，分析GaAs—AlGaAs周期外延层中的应变状态。通过... 采用电子背散射衍射（EBSD）技术，以30～40nm的空间分辨率，显示GaAs—AlGaAs外延结构中的应力分布。将菊池花样质量JQ和Hough峰，以及晶格错配和局部转动等测量参数作为应力敏感参数，分析GaAs—AlGaAs周期外延层中的应变状态。通过对菊池花样进行快速傅立叶变换和强度计算识别微区应变区域。 展开更多
关键词 电子背散射衍射(EBSD) 微区应力 GaAs—AlGaAs
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GaN外延结构中微区应变场的测量和评价
2
作者 王俊忠 吉元 +5 位作者 田彦宝 牛南辉 徐晨 韩军 郭霞 沈光地 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2139-2143,共5页
采用电子背散射衍射(EBSD)技术,测量GaN/蓝宝石结构中的弹性应变场.将EBSD菊池衍射花样的图像质量IQ值及小角度错配作为应力敏感参数,表征GaN-Buffer层-蓝宝石结构中的晶格畸变和转动,显示微区弹性应变场.在GaN/蓝宝石系统中,弹性应变... 采用电子背散射衍射(EBSD)技术,测量GaN/蓝宝石结构中的弹性应变场.将EBSD菊池衍射花样的图像质量IQ值及小角度错配作为应力敏感参数,表征GaN-Buffer层-蓝宝石结构中的晶格畸变和转动,显示微区弹性应变场.在GaN/蓝宝石系统中,弹性应变的影响范围大约200×700nm.采用快速傅立叶变换(FFT)提取菊池花样的衍射强度,识别GaN外延结构中的应变/无应变区域. 展开更多
关键词 电子背散射衍射(EBSD) 微区应力 GAN外延层
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