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题名海洋环境下晶体管加速腐蚀试验中的问题探究
被引量:2
- 1
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作者
齐浩淳
张小玲
谢雪松
吕长志
陈成菊
赵利
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机构
北京工业大学可靠性物理实验室
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出处
《四川兵工学报》
CAS
2014年第7期110-114,共5页
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文摘
在模拟海洋环境下进行了3组不同盐溶液浓度的晶体管加速腐蚀试验,对试验样品得到的腐蚀结果进行了研究。对晶体管管壳的腐蚀速度随着浓度的增加而下降的原因进行了分析,阐述了晶体管管壳、涂层和外引线的腐蚀机理。另外,试验结果表明,晶体管外引线断裂现象依然是晶体管工艺生产过程中存在的亟需解决的问题。
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关键词
海洋环境
加速腐蚀
晶体管
机理分析
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Keywords
marine environment
accelerated corrosion
transistor
mechanism analysis
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
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题名基于理想因子退化的双极晶体管贮存寿命评估
被引量:2
- 2
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作者
齐浩淳
张小玲
谢雪松
吕长志
陈成菊
赵利
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机构
北京工业大学可靠性物理实验室
中国人民解放军
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出处
《四川兵工学报》
CAS
2014年第8期141-145,共5页
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文摘
提出了用理想因子n作为表征,对双极晶体管的贮存寿命进行评估的新方法。以某型双极晶体管为研究对象,进行了3组不同温、湿度恒定应力的加速退化试验,分析了随试验时间的增加双极晶体管样品的性能参数退化的原因。通过设定失效判据,利用晶体管样品在小电流情况下PN结的理想因子的退化趋势外推出双极晶体管的贮存寿命,并与通过反向漏电流的退化趋势预测得到的贮存寿命结果进行了对比。结果证明,晶体管PN结的理想因子退化也可以作为晶体管贮存寿命的一种表征,从而对晶体管的贮存可靠性进行评估。
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关键词
双极晶体管
理想因子
加速试验
贮存寿命
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Keywords
bipolar transistor
ideality factor
accelerating test
storage lifetime
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
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