Ag基底织构和表面状况对YBCO薄膜性能的影响

采用MOD方法在三种不同织构和表面状态的Ag基底上制备了YBCO薄膜,研究了Ag基底的织构和表面状态对YBCO超导薄膜的影响.在真空中退火的Ag基底上沉积的YBCO薄膜仅有c轴取向,且薄膜表面有很多平行条纹,薄膜的连接性不好,Jc不高;在氩气气氛中退火的Ag基底上沉积的YBCO薄膜,具有很强的c轴取向和良好的面内织构,Jc相对较高为1.2×104A/cm2;冷轧Ag基底沉积的YBCO薄膜织构没有氩气退火的Ag基底上的强,但薄膜的表面平整,连接性好,临界电流密度最高为1.5×104A/cm2.

氢化非晶硅薄膜的红外光谱分析和桥键氢扩散假设(英文)

通过红外透射光谱研究了在光诱导退火中退火条件对氢化非晶硅薄膜的结构和光电特性的影响,实验所用样品采用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备。我们用桥键氢扩散模型来解释退火中的不同现象。样品的红外光谱在630和2000cm-1处的吸收系数有所增加,说明了原先的成键氢发生了移动和溢出,我们认为通过光诱导产生载流子的非辐射复合以及桥键氢和深俘获氢原子的交换,产生了大量的桥键氢原子,它们相互结合形成分子氢,氢溢出要优于氢团聚。

Al:ZnO的电子性质、光学性质及电性质的理论研究

应用第一原理方法研究了n型Al:ZnO块体材料的几何结构、能带、态密度分布、电子分布、光学性质和电性质。分析结果表明:ZnO晶胞略有收缩,晶胞a,b,c轴均减小;掺杂ZnO块体材料导带和价带之间具有0.85e V的直接带隙,能隙宽度减小;态密度分布在费米能级附近大大增加,这些状态主要由Als、Alp、Zns、Op构成,且Zns、Als、Alp和Op之间存在着强偶合相互作用,其中Zns态、Als态和Alp态电子对导带贡献最大,Al:ZnO块体材料呈现宽的吸收范围和高的吸收率。Al:ZnO块材的Zns-Als-Op电子之间的转移构成电子迁移,Als电子参与导电;其价带有效质量相对较大,导带有效质量相对较小。