p型透明导电氧化物CuAlO_2薄膜的研究进展

透明导电氧化物(TCO)的出现开拓了光电子器件研究的新领域。但p型TCO的相对匮乏严重制约了透明氧化物半导体(TOS)相关器件的开发与应用。CuAlO2作为一种天然的p型TCO成为近年来p型TCO的研究热点。介绍了p型TCO的研究现状,综述了不同制备方法制备p型CuAlO2薄膜的研究进展,以及在器件方面的应用,并对其前景进行了展望。

P型透明导电氧化物LaCuOS的研究进展

透明导电氧化物半导体的出现开拓了光电子器件研究的新领域，但是缺少性能良好的P型材料就限制了透明导电氧化物的利用空间。LaCuOS由于其结构、电学和光学等方面具有许多的优点，成为近年来P型半导体的研究热点。介绍了P型LaCuOS薄膜的基本性质，综述了不同的制备工艺并对其光电学与应用方面进行了研究总结。

热蒸发沉积法制备多足状ZnO及其生长机理的研究

利用热蒸发沉积方法，使用高纯Zn粉为原料（ 〉99．99％），在常压下，成功制备了多针状的znO微结构。当沉积气氛为纯氧气时，多针ZnO单支的直径尺寸在2μm左右，通过调整Ar和O2的比例，发现当蒸发源温度为800℃，气体流量控制在Ar：O2=0．5L／min：0．1L／min的时候，所制备的多足状ZnO的单支直径减小为400nm,采用XRD和SEM对样品进行了表征，并对形成这种多针状ZnO的生长机理进行了详细的讨论。

含孔缺陷石墨烯纳米条带的电学特性研究

本文系统地研究了不同形状(三方、四方及六方)的孔缺陷对锯齿形石墨烯纳米条带电学特性的影响.结果表明:孔缺陷形状对于石墨烯纳米条带的电导及电流特性影响显著,其可能源于不同形状的孔缺陷边界对于电子散射的不同;另外,当缺陷悬挂吸附氢或氮原子,将引起孔缺陷形状改变,因此不同孔缺陷吸附对于石墨烯纳米条带的电学特性的影响也各不相同.本研究将为石墨烯基电子器件失效分析及石墨烯孔结构器件设计提供有价值的理论指导.

半导体超晶格系统中的磁电调控电子自旋输运研究

通过采用转移矩阵方法求解自旋电子隧穿过程,理论研究了半导体超晶格系统中电子自旋输运的磁电调控行为.结果表明:仅对超晶格系统施以磁调制,隧穿系数将出现自旋分裂,随磁场增强,电导自旋极化率变大且展宽于费米能区;若选取不变磁场情况,同时施以间隔周期电场调制,超晶格的电子极化率将有更为显著地提高.进一步发现,随电场强度的改变,电子自旋输运行为显然存在两个明显不同区域,下自旋电子将在不同调制区域表现为不同的变化趋势.然而,若对周期磁超晶格施加间隔两周期的电调制,自旋电导输运的临界行为消失,电导极化率在高能区的共振峰趋向消失.这也说明超晶格系统的对称性将可能对其磁电调控自旋输运行为产生重要影响.