期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
5
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
p型透明导电氧化物CuAlO_2薄膜的研究进展
被引量:
7
1
作者
李军
兰伟
+2 位作者
张铭
董国波
严辉
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期115-118,共4页
透明导电氧化物(TCO)的出现开拓了光电子器件研究的新领域。但p型TCO的相对匮乏严重制约了透明氧化物半导体(TOS)相关器件的开发与应用。CuAlO2作为一种天然的p型TCO成为近年来p型TCO的研究热点。介绍了p型TCO的研究现状,综述了不同制...
透明导电氧化物(TCO)的出现开拓了光电子器件研究的新领域。但p型TCO的相对匮乏严重制约了透明氧化物半导体(TOS)相关器件的开发与应用。CuAlO2作为一种天然的p型TCO成为近年来p型TCO的研究热点。介绍了p型TCO的研究现状,综述了不同制备方法制备p型CuAlO2薄膜的研究进展,以及在器件方面的应用,并对其前景进行了展望。
展开更多
关键词
透明导电氧化物(TCO)
P型TCO
CuAlO2薄膜
下载PDF
职称材料
P型透明导电氧化物LaCuOS的研究进展
被引量:
2
2
作者
董培明
张铭
+2 位作者
兰伟
董国波
严辉
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A01期294-297,共4页
透明导电氧化物半导体的出现开拓了光电子器件研究的新领域,但是缺少性能良好的P型材料就限制了透明导电氧化物的利用空间。LaCuOS由于其结构、电学和光学等方面具有许多的优点,成为近年来P型半导体的研究热点。介绍了P型LaCuOS薄膜...
透明导电氧化物半导体的出现开拓了光电子器件研究的新领域,但是缺少性能良好的P型材料就限制了透明导电氧化物的利用空间。LaCuOS由于其结构、电学和光学等方面具有许多的优点,成为近年来P型半导体的研究热点。介绍了P型LaCuOS薄膜的基本性质,综述了不同的制备工艺并对其光电学与应用方面进行了研究总结。
展开更多
关键词
P型透明导电氧化物
层状结构
LaCuOS薄膜
下载PDF
职称材料
热蒸发沉积法制备多足状ZnO及其生长机理的研究
被引量:
1
3
作者
谭天
刘毅
+2 位作者
宋雪梅
王波
严辉
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A06期2332-2334,共3页
利用热蒸发沉积方法,使用高纯Zn粉为原料( 〉99.99%),在常压下,成功制备了多针状的znO微结构。当沉积气氛为纯氧气时,多针ZnO单支的直径尺寸在2μm左右,通过调整Ar和O2的比例,发现当蒸发源温度为800℃,气体流量控制在Ar:O2=...
利用热蒸发沉积方法,使用高纯Zn粉为原料( 〉99.99%),在常压下,成功制备了多针状的znO微结构。当沉积气氛为纯氧气时,多针ZnO单支的直径尺寸在2μm左右,通过调整Ar和O2的比例,发现当蒸发源温度为800℃,气体流量控制在Ar:O2=0.5L/min:0.1L/min的时候,所制备的多足状ZnO的单支直径减小为400nm,采用XRD和SEM对样品进行了表征,并对形成这种多针状ZnO的生长机理进行了详细的讨论。
展开更多
关键词
热蒸发
多针状氧化锌
生长机理
下载PDF
职称材料
含孔缺陷石墨烯纳米条带的电学特性研究
被引量:
5
4
作者
魏晓林
陈元平
+1 位作者
王如志
钟建新
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期356-360,共5页
本文系统地研究了不同形状(三方、四方及六方)的孔缺陷对锯齿形石墨烯纳米条带电学特性的影响.结果表明:孔缺陷形状对于石墨烯纳米条带的电导及电流特性影响显著,其可能源于不同形状的孔缺陷边界对于电子散射的不同;另外,当缺陷悬挂吸...
本文系统地研究了不同形状(三方、四方及六方)的孔缺陷对锯齿形石墨烯纳米条带电学特性的影响.结果表明:孔缺陷形状对于石墨烯纳米条带的电导及电流特性影响显著,其可能源于不同形状的孔缺陷边界对于电子散射的不同;另外,当缺陷悬挂吸附氢或氮原子,将引起孔缺陷形状改变,因此不同孔缺陷吸附对于石墨烯纳米条带的电学特性的影响也各不相同.本研究将为石墨烯基电子器件失效分析及石墨烯孔结构器件设计提供有价值的理论指导.
展开更多
关键词
石墨烯
孔缺陷
电学特性
原文传递
半导体超晶格系统中的磁电调控电子自旋输运研究
被引量:
2
5
作者
王如志
袁瑞玚
+2 位作者
宋雪梅
魏金生
严辉
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期3437-3442,共6页
通过采用转移矩阵方法求解自旋电子隧穿过程,理论研究了半导体超晶格系统中电子自旋输运的磁电调控行为.结果表明:仅对超晶格系统施以磁调制,隧穿系数将出现自旋分裂,随磁场增强,电导自旋极化率变大且展宽于费米能区;若选取不变磁场情况...
通过采用转移矩阵方法求解自旋电子隧穿过程,理论研究了半导体超晶格系统中电子自旋输运的磁电调控行为.结果表明:仅对超晶格系统施以磁调制,隧穿系数将出现自旋分裂,随磁场增强,电导自旋极化率变大且展宽于费米能区;若选取不变磁场情况,同时施以间隔周期电场调制,超晶格的电子极化率将有更为显著地提高.进一步发现,随电场强度的改变,电子自旋输运行为显然存在两个明显不同区域,下自旋电子将在不同调制区域表现为不同的变化趋势.然而,若对周期磁超晶格施加间隔两周期的电调制,自旋电导输运的临界行为消失,电导极化率在高能区的共振峰趋向消失.这也说明超晶格系统的对称性将可能对其磁电调控自旋输运行为产生重要影响.
展开更多
关键词
半导体超晶格
自旋输运
磁电调控
原文传递
题名
p型透明导电氧化物CuAlO_2薄膜的研究进展
被引量:
7
1
作者
李军
兰伟
张铭
董国波
严辉
机构
北京工业大学材料学院薄膜实验室
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期115-118,共4页
基金
国家自然科学基金(No.60576012)
北京市拔尖创新人才计划(No.20041D0501513)资助项目
文摘
透明导电氧化物(TCO)的出现开拓了光电子器件研究的新领域。但p型TCO的相对匮乏严重制约了透明氧化物半导体(TOS)相关器件的开发与应用。CuAlO2作为一种天然的p型TCO成为近年来p型TCO的研究热点。介绍了p型TCO的研究现状,综述了不同制备方法制备p型CuAlO2薄膜的研究进展,以及在器件方面的应用,并对其前景进行了展望。
关键词
透明导电氧化物(TCO)
P型TCO
CuAlO2薄膜
Keywords
transparent conducting oxides(TCO), p-type TCO, CuAlO2 thin film
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
P型透明导电氧化物LaCuOS的研究进展
被引量:
2
2
作者
董培明
张铭
兰伟
董国波
严辉
机构
北京工业大学材料学院薄膜实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A01期294-297,共4页
基金
基金项目:国家自然科学基金资助项目(60576012)
北京市属市管高等学校“拔尖创新人才选拔计划”资助项目(20041D0501513)
文摘
透明导电氧化物半导体的出现开拓了光电子器件研究的新领域,但是缺少性能良好的P型材料就限制了透明导电氧化物的利用空间。LaCuOS由于其结构、电学和光学等方面具有许多的优点,成为近年来P型半导体的研究热点。介绍了P型LaCuOS薄膜的基本性质,综述了不同的制备工艺并对其光电学与应用方面进行了研究总结。
关键词
P型透明导电氧化物
层状结构
LaCuOS薄膜
Keywords
p-type TCO
LaCuOS thin films
layered oxychalcogenide films
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
TN305.92 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
热蒸发沉积法制备多足状ZnO及其生长机理的研究
被引量:
1
3
作者
谭天
刘毅
宋雪梅
王波
严辉
机构
北京工业大学
材料
学院
薄膜
材料
实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A06期2332-2334,共3页
基金
基金项目:国家自然科学基金资助项目(50502001
60576012)
+1 种基金
北京市自然科学基金资助项目(2062004)
北京市优秀人才工程资助项目(20041D0501513)
文摘
利用热蒸发沉积方法,使用高纯Zn粉为原料( 〉99.99%),在常压下,成功制备了多针状的znO微结构。当沉积气氛为纯氧气时,多针ZnO单支的直径尺寸在2μm左右,通过调整Ar和O2的比例,发现当蒸发源温度为800℃,气体流量控制在Ar:O2=0.5L/min:0.1L/min的时候,所制备的多足状ZnO的单支直径减小为400nm,采用XRD和SEM对样品进行了表征,并对形成这种多针状ZnO的生长机理进行了详细的讨论。
关键词
热蒸发
多针状氧化锌
生长机理
Keywords
thermal evaporation
multineedle ZnO
growth mechanism
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
含孔缺陷石墨烯纳米条带的电学特性研究
被引量:
5
4
作者
魏晓林
陈元平
王如志
钟建新
机构
湘潭
大学
量子工程与微纳能源技术湖南省重点
实验室
北京工业大学材料学院薄膜实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期356-360,共5页
基金
国家自然科学基金(批准号:11204262)
湖南省高等学校重点实验室开放项目(批准号:12K045)
湖南省科技厅计划项目(批准号:2012SK3166)资助的课题~~
文摘
本文系统地研究了不同形状(三方、四方及六方)的孔缺陷对锯齿形石墨烯纳米条带电学特性的影响.结果表明:孔缺陷形状对于石墨烯纳米条带的电导及电流特性影响显著,其可能源于不同形状的孔缺陷边界对于电子散射的不同;另外,当缺陷悬挂吸附氢或氮原子,将引起孔缺陷形状改变,因此不同孔缺陷吸附对于石墨烯纳米条带的电学特性的影响也各不相同.本研究将为石墨烯基电子器件失效分析及石墨烯孔结构器件设计提供有价值的理论指导.
关键词
石墨烯
孔缺陷
电学特性
Keywords
graphene, pore defects, electrical properties
分类号
O482.4 [理学—固体物理]
原文传递
题名
半导体超晶格系统中的磁电调控电子自旋输运研究
被引量:
2
5
作者
王如志
袁瑞玚
宋雪梅
魏金生
严辉
机构
北京工业大学材料学院薄膜实验室
首都师范
大学
物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期3437-3442,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:10604001)
北京市自然科学基金(批准号:4073029)资助的课题~~
文摘
通过采用转移矩阵方法求解自旋电子隧穿过程,理论研究了半导体超晶格系统中电子自旋输运的磁电调控行为.结果表明:仅对超晶格系统施以磁调制,隧穿系数将出现自旋分裂,随磁场增强,电导自旋极化率变大且展宽于费米能区;若选取不变磁场情况,同时施以间隔周期电场调制,超晶格的电子极化率将有更为显著地提高.进一步发现,随电场强度的改变,电子自旋输运行为显然存在两个明显不同区域,下自旋电子将在不同调制区域表现为不同的变化趋势.然而,若对周期磁超晶格施加间隔两周期的电调制,自旋电导输运的临界行为消失,电导极化率在高能区的共振峰趋向消失.这也说明超晶格系统的对称性将可能对其磁电调控自旋输运行为产生重要影响.
关键词
半导体超晶格
自旋输运
磁电调控
Keywords
semiconductor superlattic, spin transport, magnetic-electric modulation
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
p型透明导电氧化物CuAlO_2薄膜的研究进展
李军
兰伟
张铭
董国波
严辉
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
7
下载PDF
职称材料
2
P型透明导电氧化物LaCuOS的研究进展
董培明
张铭
兰伟
董国波
严辉
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
下载PDF
职称材料
3
热蒸发沉积法制备多足状ZnO及其生长机理的研究
谭天
刘毅
宋雪梅
王波
严辉
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
下载PDF
职称材料
4
含孔缺陷石墨烯纳米条带的电学特性研究
魏晓林
陈元平
王如志
钟建新
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
5
原文传递
5
半导体超晶格系统中的磁电调控电子自旋输运研究
王如志
袁瑞玚
宋雪梅
魏金生
严辉
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部