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SiGe HBT双端口网络参数模型和模拟
1
作者
史辰
杨维明
+1 位作者
刘素娟
陈建新
《北京工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期506-509,513,共5页
针对等效电路模型中应用频率范围窄、精度低以及在高频器件分析过程中与网络分析法的兼容性差等问题,由交流I-V方程出发,推导得到使用散射参数描述的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的双端口网络参数模型.着重分析了Si/SiGe异质结和...
针对等效电路模型中应用频率范围窄、精度低以及在高频器件分析过程中与网络分析法的兼容性差等问题,由交流I-V方程出发,推导得到使用散射参数描述的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的双端口网络参数模型.着重分析了Si/SiGe异质结和基区结构对器件交流性能的作用,并尽量避免省略物理量和对频率上限的限制.与等效电路模型相比,模型的频域精度由半定量提高至优于5%,并将适用频率由特定范围扩展至只计入本征参数时的特征频率fT,涵盖全部SiGe HBT的小信号工作频段,为器件的设计、优化和应用提供了一种宽频带和高精度的定量模拟方法.
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关键词
锗硅
异质结
双端口网络
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职称材料
题名
SiGe HBT双端口网络参数模型和模拟
1
作者
史辰
杨维明
刘素娟
陈建新
机构
北京工业大学电子信息与挖制工程学院北京光电子技术实验室
出处
《北京工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期506-509,513,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60476034)
北京市自然科学基金资助项目(4032005).
文摘
针对等效电路模型中应用频率范围窄、精度低以及在高频器件分析过程中与网络分析法的兼容性差等问题,由交流I-V方程出发,推导得到使用散射参数描述的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的双端口网络参数模型.着重分析了Si/SiGe异质结和基区结构对器件交流性能的作用,并尽量避免省略物理量和对频率上限的限制.与等效电路模型相比,模型的频域精度由半定量提高至优于5%,并将适用频率由特定范围扩展至只计入本征参数时的特征频率fT,涵盖全部SiGe HBT的小信号工作频段,为器件的设计、优化和应用提供了一种宽频带和高精度的定量模拟方法.
关键词
锗硅
异质结
双端口网络
Keywords
silicon germanium
heterojunction
two port network
分类号
TN323.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiGe HBT双端口网络参数模型和模拟
史辰
杨维明
刘素娟
陈建新
《北京工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
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职称材料
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