半导体器件金属化与接触可靠性的改善

描述了目前采用的界面效应、合金效应、覆盖效应和回流效应等四种提高半导体器件金属化和接触可靠性的方法及其特点。介绍了最新研究成果，展望了其应用前景。

对硅微波功率器件金属化系统的改进

将带有ＴｉＮ、Ｍｏ和Ｗ阻挡层的Ａｕ金属化系统用在高频功率管上，对其ＥＢ结进行了高温大电流应力试验。结果表明采用ＴｉＮ作阻挡层的器件寿命比用Ｗ作阻挡层的器件提高了２．２倍，比用Ｍｏ作阻挡层的器件提高了１．３倍。ＳＥＭ和ＴＥＭ观察表明，用Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｐｔ／Ａｕ作金属化的产品的失效是由金属化的横向电迁徙导致的开路引起的，ｘ射线分析结果表明Ａｕ没有穿过ＴｉＮ进入Ｓｉ衬底。