隧道级联半导体激光器的光束质量因子

运用波导模式理论和光束传输的非傍轴矢量矩理论 ,对隧道级联 In Ga As/ Ga As/ Al Ga As半导体激光器的光束质量进行了理论研究 .分析了隧道级联半导体激光器内限制层厚度和垂直方向光束质量因子的关系 .结果表明 ,在隧道结耦合距离内 ,隧道结不仅起到了再生载流子的作用 ,也作为无源波导拓展了光场 ,减小了垂直发散角 ,降低了光束质量因子 .根据模拟结果设计并制备了高光束质量 ,小垂直发散角的隧道级联耦合大光腔半导体激光器 ,其阈值电流密度为 2 71A/ cm2 ,斜率效率为 1.4 9W/ A,垂直发散角为 17.4°,光束质量因子为 1.

Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比对AlGaInP材料MOCVD外延生长的影响

用MOCVD系统外延生长AlGaInP材料时往往要通入过量的PH3来获得足够大的Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比,以便得到高质量的晶体结构。分别采用1 000 ml/min和400 ml/min的PH3流量(对应的Ⅴ/Ⅲ比分别为723和289),利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)系统生长了AlGaInP材料,并使用MOCVD在位监测(in-situ)软件、X射线双晶衍射仪以及光荧光测试系统等对样品进行了测量分析。发现Ⅴ/Ⅲ比不但会影响AlGaInP材料的生长速度,对外延材料与衬底GaAs的晶格失配度和材料的光学特性也有影响。

亲疏水处理度对于GaAs/GaN键合界面透光性的影响

采用亲疏水两种不同的处理方法,在氮气保护、600℃热处理1h条件下,成功实现了GaN和GaAs异质材料的键合,两种处理方法均可满足器件对于键合强度及键合面积的要求.从亲疏水键合机理的不同出发,研究了两种处理方法对于界面透光性的影响,对键合样品进行了可见光透射谱测试,实验结果表明疏水键合界面对于垂直入射的630nm的光可以获得高达94.7%的透过率,并将键合样品加工成器件进行电致发光(EL)谱测试,实验结果与透射谱测试结果一致.

激光剥离技术中GaN材料温度场的研究

对使用脉冲激光实现GaN/Sapphire剥离技术,建立了激光剥离过程中GaN外延层一维热传导理论模型。计算分析了单脉冲辐照时,激光剥离过程中GaN外延层内的温度场分布。得到实现激光剥离阈值能量密度为400mJ/cm2,脉冲频率上限约为1400Hz,阈值条件下剥离过程中高温区分布限制在100nm以内。从而证明GaN基发光二极管(LED)外延结构无损伤激光剥离的可行性,并且为激光剥离技术参数的选取提供了理论依据。

新型长波长半导体激光器材料GaInNAs

对新型长波长半导体材料GaInNAs进行了述评。通过材料性质的介绍,表明GaInNAs材料是一种很有前景的长波长半导体材料。同时介绍了目前GaInNAs材料的几种主要制备手段并进行了比较, 指出了目前MOCVD生长GaInNAs材料存在的难点。介绍了目前国际上基于GaInNAs材料的长波长VCSEL 的器件研究情况。