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n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触温度特性及微结构研究
1
作者
张跃宗
冯士维
+1 位作者
张弓长
王承栋
《微纳电子技术》
CAS
2007年第7期72-75,共4页
主要对n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触在高温下(500℃)的特性进行了研究,发现在所测温度范围内,接触电阻率随测量温度的升高呈现出增加的趋势,接触开始退化。同时分析研究了在不同高温、不同时间范围内(24h)欧姆接触高温存储前后的变化,分...
主要对n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触在高温下(500℃)的特性进行了研究,发现在所测温度范围内,接触电阻率随测量温度的升高呈现出增加的趋势,接触开始退化。同时分析研究了在不同高温、不同时间范围内(24h)欧姆接触高温存储前后的变化,分析发现对于温度不高于500℃、在24h内存储温度升高,接触电阻率增加。当样品被施加500℃,24h的热应力后,其接触电阻率表现出不可恢复性增加。通过X射线衍射能谱分析了高温前后欧姆接触内部结构的变化机理,经过500℃的高温后,Ti层原子穿过Al层与Ni层原子发生固相反应。
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关键词
欧姆接触
接触电阻率
X射线衍射能谱
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职称材料
题名
n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触温度特性及微结构研究
1
作者
张跃宗
冯士维
张弓长
王承栋
机构
北京工业大学电控学院可靠性物理实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
2007年第7期72-75,共4页
基金
国家863项目(2006AA03A112)
文摘
主要对n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触在高温下(500℃)的特性进行了研究,发现在所测温度范围内,接触电阻率随测量温度的升高呈现出增加的趋势,接触开始退化。同时分析研究了在不同高温、不同时间范围内(24h)欧姆接触高温存储前后的变化,分析发现对于温度不高于500℃、在24h内存储温度升高,接触电阻率增加。当样品被施加500℃,24h的热应力后,其接触电阻率表现出不可恢复性增加。通过X射线衍射能谱分析了高温前后欧姆接触内部结构的变化机理,经过500℃的高温后,Ti层原子穿过Al层与Ni层原子发生固相反应。
关键词
欧姆接触
接触电阻率
X射线衍射能谱
Keywords
ohmic contact
contact resisitvity
X-ray diffraction
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触温度特性及微结构研究
张跃宗
冯士维
张弓长
王承栋
《微纳电子技术》
CAS
2007
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