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蓝宝石基LED外延片背减薄与抛光工艺研究
被引量:
9
1
作者
李冰
郭霞
+3 位作者
刘莹
李秉臣
王东凤
沈光地
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期57-60,共4页
研究了蓝宝石基LED外延片背减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关系,比较了不同的磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响,并研究了抛光过程中表面粗糙度随时间的变化规律,为背减薄与抛光工艺的优化提供了依据。
关键词
蓝宝石
发光二极管
背减薄
研磨
抛光
下载PDF
职称材料
题名
蓝宝石基LED外延片背减薄与抛光工艺研究
被引量:
9
1
作者
李冰
郭霞
刘莹
李秉臣
王东凤
沈光地
机构
北京市光电子技术实验室北京工业大学电控学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期57-60,共4页
基金
国家863计划项目(2004AA311030)
北京市教育委员会资助项目(KZ200510005003)
+3 种基金
国家973计划(20000683-02)
北京市教委项目(2002kj018)
北工大博士启动基金(kz0204200387)
北京市科委重点项目(D0404003040221)
文摘
研究了蓝宝石基LED外延片背减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关系,比较了不同的磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响,并研究了抛光过程中表面粗糙度随时间的变化规律,为背减薄与抛光工艺的优化提供了依据。
关键词
蓝宝石
发光二极管
背减薄
研磨
抛光
Keywords
sapphire
LED
back lapping
lapping
polishing
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
蓝宝石基LED外延片背减薄与抛光工艺研究
李冰
郭霞
刘莹
李秉臣
王东凤
沈光地
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005
9
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