直流固体继电器接通电压测试技术探新

在概述固体继电器国军标有关接通电压的规定、并列举常见的测试原理方法之后，文章针对实际生产和应用中出现的一些具体情况，提出直流团体继电器接通电压的新测试方法。

固态继电器的热分析

固态继电器是一种无触头电器,其特点是反应速度快、可靠性高、寿命长, 被广泛应用于航空、航天、军工等领域。由于固态继电器本身的特点,产品的过载能力 一直是制约该类产品进行设计和使用的重要问题,尤其是固态继电器向着小型化的趋 势发展时,其热分析显得特别重要。本文介绍了使用有限元方法对固态继电器的三维 热分析。由结果分析可知,对层状模型的简化可以用于热分析。

固体继电器电参数的选用

固体继电器电参数的选用ＳｅｌｅｃｔｉｏｎｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＰａｒａｍｅｔｅｒｓｏｆＳＳＲ北京市科通电子继电器总厂赵全生（北京１０００５４）１概述固体继电器（ＳＳＲ）是一种全电子式通断转换控制元件，它主要由分立电子元器件、薄膜、厚膜或集成电路等组...

固体继电器的应用技术和发展趋势

介绍了固体继电器的工作原理、技术性能以及正在迅速扩大的应用范围和技术发展趋势,给出了"固体继电器在国内外军用装备、自动测试设备和自动控制等领域将逐步取代电磁继电器,并必将上升到继电器的主导地位"的论断。

固体继电器失效模式研究

概述固体继电器几种主要失效模式的概念、机理及判断方法。针对在电网无功补偿实际应用中出现的一些具体情况,提出对固体继电器失效的现场分析及相应解决方法。

我国固体继电器的发展和应用

本文在概述固体继电器原理、特点后,重点介绍了我国固体继电器的发展和应用,并给出选择和应用须知。

“十五”期间我国固体继电器发展方向浅析

文章在对我国固体继电器生产研制现状分析的基础上 ,结合国际上固体继电器的发展方向 ,提出“十五”期间我国应重点开发的固体继电器品种 。

内部气氛受控的微细加工继电器研究

文章介绍了利用单晶硅基静电驱动器且内部气氛受控的微细加工继电器 (MMR ,MicroMachinedRelay)。气氛控制对于改善MMR的特性很重要。通过控制内部气氛 ,在 10V、10mA阻性负载下的热切换试验可达 10 7次 ,继电器电阻 (指信号线电阻、接触电阻和封装电阻之和 )为 0 .5Ω。切换时间为 0 .3ms ,功耗小于 0 .0 5mW。

固体继电器的静电防护设计

从固体继电器的设计角度简单介绍了静电的产生及静电放电的有关知识,并针对几种典型规格进行了分析,同时提出了设计方案和保护措施。

应用ADO.NET系统架构实现电器系统故障知识库管理系统

为了克服传统的非结构化知识库设计模式的不足,适应知识库的网络访问环境,采用ADO.NET编程模式实现对电器故障信息知识库的建模。从电器系统诊断对象的结构和功能原理出发,对故障知识进行结构化、系统化的存储,简化了知识表示的复杂度。独立的模块设计方法能容易地进行增加、删除、查询等知识管理和知识更新过程,同时在.NET平台上可以灵活地发布Web Service服务,提供对外网络服务接口,便于系统调用和网络应用整合。

大功率电力电子装置的分布式温度检测系统

本文介绍了数字式温度传感器DS18B20主要特性。针对大功率电力电子装置多点测温的需要,设计了分布式温度检测系统并给出了C51语言编写的读、写子程序以及二叉树式的多器件在线搜索流程。该系统具有结构简单、测量精度高、工作稳定可靠等特点,有着广泛的应用场合。

电子元器件内部水汽含量与密封性关系的研究

通过对密封性氦质谱细检漏漏率公式和内部水汽含量公式的推演,并通过典型实例对电子元器件内部水汽含量公式进行了验证,同时对国内外军用标准漏率判据的计算标准进行了改进分析,研究发现:现行的中国和美国密封性军用标准的漏率判据普遍保证不了几个月或更长贮存和使用时间的内部水汽含量要求,这必将危及密封电子元器件的可靠性,所以建议进一步开展研究,并修改有关密封性氦质谱细检漏的中国国家军用标准。

密封器件压氦和预充氦细检漏判定漏率合格的条件

密封器件氦质谱细检漏包括压氦法（即背压法）和预充氦法。对于压氦法，通常靠粗检鉴别是否有大漏孔，但候检时间不可过长，以免可能存在的大漏孔处于分子流状态，不能靠粗检鉴别。本文给出了最长候检时间表达式，以便既避免漏检又做好被检器件表面的净化工作。预充氦法的优点是可检测的最小等效标准漏率比压氦法低好几个量级。但用户复检时，候检时间往往已很长，如果仅靠通常的压氦法复检加粗检则发挥不出预充氦法的优点。本文改进了预充氦法：提出候检时间存在两个特征点，并给出了表达式；还对压氦法复检加粗检赋于新的重要功能，从而可以针对各种情况，用不同方法和判据，判断漏率是否合格。因此，即使候检时间已很长，仍有可能充分发挥预充氦法优点，并在漏率合格时给出被检器件的等效标准漏率。

密封器件压氦和预充氦细检漏过程中环境氦分压的影响

分别推导和分析了环境大气氦分压对压氦法的影响,地球干洁大气氦分压对预充氦法和预充氦密封器件压氦法复检的影响。证明对于压氦法,不需要考虑地球干洁大气氦分压的影响。但是如果候检室环境大气氦分压显著升高,对于内腔有效容积大,且等效标准漏率小的密封器件,会加大测量漏率值,所以压氦后,被检器件应尽快离开压氦设备所在的房间。对于预充氦法,地球干洁大气氦分压会使测量漏率通过极大值后出现极小值,且当候检时间与内腔有效容积之比大于100 h/cm3时,极小值点的气流仍处于分子流状态,不能靠粗检鉴别,所以需压氦法复检加粗检,才能防止漏检。另外,地球干洁大气氦分压会使预充氦法候检时间的第一特征点变大,从而扩大了需压氦法复检加粗检的范围,但第二特征点不变,也不影响压氦法复检加粗检的结果。

国外对宇航用射频MEMS开关的研究

本文介绍了国外对宇航用射频MEMS开关的研究,包括其性能、结构、技术成熟度、生产制造、可靠性及环境应力。

功率控制器结温无损伤测量技术研究与实现

固态功率控制器或固体继电器逐步向大功率方向发展,其结温测量与监控成为工程应用中的难题,针对这类具有输入输出隔离功能的器件,采用等功率结温测试法研究了基于MOSFET的功率控制器结温无损伤测量技术。利用MOSFET自身结构,通过研究寄生pn结电压随温度变化规律、器件正向功率和反向功率关系、等功率结温测试与实际结温测试结果对比,提出了适用于工程应用的结温无损伤测量方法。结果表明,采用本方法测试结温准确度在1%以内,并可有效避免器件时间差、测试时间差等问题,可实现多层结构、非气密结构等传统方法难以实现的结温测量,具有良好的工程应用价值。

基于裸片封装的SiC MOSFET功率模块热分析

SiC MOSFET因其耐高温、高压的优点,被广泛应用于大功率固态功率控制器的设计中。针对固态功率控制器工况,选用裸片封装的SiC MOSFET,对功率模块的堆叠结构进行设计及热阻分析;对键合结构的选型与布局进行设计;对封装连接铜线、铜带的热影响进行分析。在封装设计基础上,通过有限元仿真对功率模块热性能进行评估。最后,搭建平台进行单路热测试。结果验证了仿真的准确性,以及封装设计的合理性。

多通道SiC固态功率控制器热仿真及设计优化

随着SiC MOSFET的发展,以该器件作为核心部分的多通道SiC固态功率控制器逐渐应用于高功率密度领域。由于其温升和极端环境温度更高,所以对产品的热管理需求也随之提升。因此,准确评估产品内部热分布是实现高性能多通道固态功率控制器设计的前提。以额定电压270 V,额定电流240 A的12路固态功率控制器为对象,分析其热失效机理,建立简化有限元模型。分别对120 A.180 A降额工作情况进行稳态与瞬态的热仿真及验证。对240 A满载工作情况进行热仿真,根据仿真结果及实际情况做出热设计优化。最后,进行优化产品的满载测试,验证热仿真及设计优化的正确性。

多次压氦法和预充氦压氦法质谱细检漏方法研究

密封电子元器件在长时间存放后,会存在无法检测的现象。当超过密封件细漏检测的最长候检时间时,应再次压氦,然后进行细检漏。按现行的各种规范的规定,压氦法和预充氦法再压氦的条件、程序和判据一般均与首次压氦相同,但分析表明,这样可能会使测量漏率判据出现成倍或更大的偏差,有时会出现大漏的漏检和细漏的错判。推演出多次压氦法和预充氦压氦法的测量漏率判据公式,给出了相应的压氦条件和细检漏的最长候检时间,从而更为便捷准确地解决了长候检时间下的密封性检测问题。