北京烤鸭低剂量辐射保鲜研究

为控制北京烤鸭中的微生物,使用了冷冻与电离辐射相结合的技术。利用^(60)Coγ射线源在冷冻条件下进行照射,平均吸收剂量为2kGy。经这样处理的烤鸭,微生物指标达到了部颁标准并且在营养成份、维生素含量等方面与未经辐照的烤鸭无明显差异。经实验证明,辐照后的北京冷冻烤鸭在卫生安全性方面是完全可靠的。

RAPD分析氮离子注入甜菊种子后的幼苗基因组DNA变异

应用ＲＡＰＤ 技术检测经低能氮离子注入甜菊纯系种子引起的幼苗基因组ＤＮＡ 变异。筛选出ＯＰＪ系列中的１５ 种引物对实验及对照基因组ＤＮＡ 进行了ＰＣＲ 扩增，共获扩增片段１０３ 条，分子量在０．３ － ３ｋｂ 之间，其中５ 种引物ＯＰＪ－ １ ，７ ，９，１１ ，１２ 扩增出差异片段１２ 条。结果表明，低能氮离子注入甜菊种子可引起体内基因组ＤＮＡ 发生突变；ＲＡＰＤ 技术是检测基因组ＤＮＡ 发生诱变的一种简便、有效方法。本文同时探讨了离子强度和Ｔａｇ ＤＮＡ 聚合酶用量对甜菊ＲＡＰＤ 分析结果的影响，以及氮离子注入诱变效应的可能机制。

离子注入改善电接触微动磨损研究

以AgCu10合金为对象 ,研究和探讨了离子注入提高电接触材料的抗氧化和抗磨损性能并改善电接触微动磨损的技术。试验结果表明 ,离子注入后的AgCu10合金大大减少了磨损颗粒的产生 ,降低了磨损过程中产生的金属转移 ,减轻了磨损颗粒的氧化污染 ,从而提高合金表面耐磨损和抗腐蚀性能 。

多阴极金属蒸气真空弧离子源

设计了一台多阴极的金属蒸气真空弧离子源,它有18个阴极,任一阴极都能在真空状态下被迅速接入电路工作。这是一种新型的强流金属离子源,特别适用于离子注入、材料改性。在脉冲工作方式下,引出了Al、Ti、Cr、Ni、Cu和Nb等元素的离子,平均束流达10mA以上,引出束流与阴极材料、弧流、引出电压等有关。该源的工作真空度为300μPa。

氮和锌离子注入GaAs_(1-x)P_x(x≈0.39)提高发光效率的研究

一、前言离子注入的优点是众所周知的,在化合物半导体方面可以用它来提高发光效率,制作良好的发光材料和半导体器件。本文介绍在GaAs1-xPx材料中注入Zn+和N+提高二极管发光效率的初步研究结果。 GaAs1-xPx发光二极管主要是在结区产生电致发光。