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离子注入白光退火技术和浅结工艺的研究 被引量：1
1
作者 张通和 李国辉 +3 位作者 阎凤章 罗晏 吴瑜光 王文勋 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1987年第3期41-48,共8页
利用白光快速退火设备研究了白光退火特性,得到As通过siO_2注入Si制备0.1～0.15μm无缺陷浅结的最佳条件.发现As通过SiO_2注入的样品退火后其载流子浓度分布出现双峰现象,进而提出了分析这种现象的增强扩散模型.还发现B+As双注入的样品... 利用白光快速退火设备研究了白光退火特性,得到As通过siO_2注入Si制备0.1～0.15μm无缺陷浅结的最佳条件.发现As通过SiO_2注入的样品退火后其载流子浓度分布出现双峰现象,进而提出了分析这种现象的增强扩散模型.还发现B+As双注入的样品经瞬态退火后消除了减速场. 展开更多
关键词 双重离子注入 快速热退火 增强扩散 浅结 背散射分析
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