多晶硅薄膜太阳电池效率影响因素的研究

研究了影响单晶硅衬底的多晶硅薄膜太阳电池转换效率的因素，得到该种电池的快速热化学汽相沉积（ＲＴＣＶＤ）的最佳条件．同时改进了制备薄膜太阳电池的若干工艺问题，得到了转换效率为１４．０８％的太阳电池，其填充因子为０．８０８．

β粒子验证相对论动量-能量关系实验中的一些问题

讨论了β粒子验证相对论动量能量关系实验中实验曲线比理论曲线偏低的原因，并对测β粒子能谱时低能部分本底和干扰计数的来源及扣除方法做了论述.修正之后，得到了较好的实验结果.

用改进的EM模型研究数字集成晶体管中的寄生晶体管效应

利用基尔霍夫电流定律修改双极晶体管的EM (Ebers Moll)模型 ,使得它适合描述 4层结构的数字集成晶体管 .这样通过流经各个PN结的电流的变化 ,可以研究数字集成晶体管在不同工作状态下寄生晶体管的效应 .

区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池

研究了区熔再结晶 (ZMR)设备及其工艺特点 .在覆盖SiO2 的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积 (RTCVD)在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜 ,用区熔再结晶法对薄膜进行处理 ,得到了晶粒致密 ,且取向一致的多晶硅薄膜层 .以此薄膜层为籽晶层 ,再在上面以RTCVD制备电池活性层 ,经过标准的太阳电池工艺 ,得到了转换效率为 10 .2 1%,填充因子为 0 .6 913的电池产品 .

C,W和C+ W离子注入钢表面纳米相镶嵌复合层结构电子显微镜分析

选取质量差异很大的C ,W和C +W对钢进行离子注入 ,用TEM对注入样品横截面进行结构分析 .结果表明 :注入层结构发生了明显的变化 ,形成了纳米相镶嵌复合层 ,W注入复合层的厚度大约是相应离子射程的 16 .3倍 .C +W注入改性层是由注入层、过渡层和缺陷层构成的 ,其厚度为 6 94nm ,该厚度是离子射程的 2 5.1倍 .3种条件下注入 ,其结构变化有明显的差异 .用TRIM95程序对 3种离子注入的碰撞参数进行了计算 ,结果表明其结构的变化明显地与注入参数相关 .还分析了纳米相镶嵌复合层结构的形成机理 .

一种新型PNP晶体管的数值分析

从基本半导体方程出发 ,用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布 ,载流子浓度分布和输出特性 .晶体管的有效基区宽度约为 50nm .证明了这种晶体管有效基区中的电场是载流子输运的主要机制 ,它的输出特性与MOS场效应管的输出特性相似 .这种晶体管有望用作数字电路中的高速器件 .