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嘧啶羧酸-Eu^(3+)/Tb^(3+)配合物合成和结构及荧光性质表征综合化学实验
被引量:
1
1
作者
贾莉
马艳子
+3 位作者
马锴果
王海荭
李维红
孙豪岭
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2016年第7期58-62,共5页
采用沉淀法,通过改变合成条件,快速合成了4种嘧啶羧酸-稀土Eu3+/Tb3+配合物。经元素分析、粉末X射线衍射、红外光谱方法对配合物的结构及相纯度进行了表征,测定了固体样品的荧光性质,研究了配合物结构与荧光性质之间的关系。结果表明,...
采用沉淀法,通过改变合成条件,快速合成了4种嘧啶羧酸-稀土Eu3+/Tb3+配合物。经元素分析、粉末X射线衍射、红外光谱方法对配合物的结构及相纯度进行了表征,测定了固体样品的荧光性质,研究了配合物结构与荧光性质之间的关系。结果表明,配体最低三线态能级与稀土离子共振能级能量的匹配程度、中心稀土离子的配位环境及配体的排列方式是影响稀土配合物荧光性质的主要因素。该实验可作为高年级化学专业本科生的综合实验,可加深学生对稀土配合物的光致发光原理及发光效率影响因素的理解,有助于培养学生的科学思维、理论与实践相结合的能力。
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关键词
稀土配合物
综合化学实验
2-苯基嘧啶-4-甲酸
配合物结构
荧光性质
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职称材料
基于宏观金属辅助化学刻蚀制备硅纳米线的研究(英文)
被引量:
1
2
作者
刘琳
李志胜
+1 位作者
胡慧东
宋维力
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期1019-1028,共10页
分别利用镀银的硅衬底和铂丝电极作为原电池反应中的阴极和阳极,基于金属辅助化学刻蚀采用宏观原电池的方法制备硅纳米线,深入研究了该法制备硅纳米线阵列的机理。通过改变电连接、镀银、刻蚀参数、硅衬底和光照等实验条件,系统地研究...
分别利用镀银的硅衬底和铂丝电极作为原电池反应中的阴极和阳极,基于金属辅助化学刻蚀采用宏观原电池的方法制备硅纳米线,深入研究了该法制备硅纳米线阵列的机理。通过改变电连接、镀银、刻蚀参数、硅衬底和光照等实验条件,系统地研究了所得硅纳米线形貌与其对应短路电流的关系,实验发现短路电流与硅纳米线长度有一定的对应关系。文章中所提出的模型旨在从根本上解决金属辅助化学刻蚀制备硅纳米线的机理。最后对这种方法所具有的潜在应用价值进行了展望和讨论。
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关键词
半导体
微结构
电化学
硅纳米线
金属刻蚀
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职称材料
题名
嘧啶羧酸-Eu^(3+)/Tb^(3+)配合物合成和结构及荧光性质表征综合化学实验
被引量:
1
1
作者
贾莉
马艳子
马锴果
王海荭
李维红
孙豪岭
机构
北京
大学
化学基础
实验
教学中心
北京师范大学能量转换与存储材料北京市重点实验室
出处
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2016年第7期58-62,共5页
基金
国家自然科学基金项目(21171023)
北京大学2014-2015年实验教学改革基金项目
文摘
采用沉淀法,通过改变合成条件,快速合成了4种嘧啶羧酸-稀土Eu3+/Tb3+配合物。经元素分析、粉末X射线衍射、红外光谱方法对配合物的结构及相纯度进行了表征,测定了固体样品的荧光性质,研究了配合物结构与荧光性质之间的关系。结果表明,配体最低三线态能级与稀土离子共振能级能量的匹配程度、中心稀土离子的配位环境及配体的排列方式是影响稀土配合物荧光性质的主要因素。该实验可作为高年级化学专业本科生的综合实验,可加深学生对稀土配合物的光致发光原理及发光效率影响因素的理解,有助于培养学生的科学思维、理论与实践相结合的能力。
关键词
稀土配合物
综合化学实验
2-苯基嘧啶-4-甲酸
配合物结构
荧光性质
Keywords
lanthanide-organic frameworks
comprehensive chemical experiment
2-phenylpyrimidine-4-carboxylicacid
complexes structure
photoluminescence property
分类号
O6-3 [理学—化学]
O641.4 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
基于宏观金属辅助化学刻蚀制备硅纳米线的研究(英文)
被引量:
1
2
作者
刘琳
李志胜
胡慧东
宋维力
机构
华北电力
大学
可再生能源学院
北京师范大学
北京
科技
大学
新
材料
技术研究院
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期1019-1028,共10页
基金
中国博士后科学基金面上项目(2014M560934)
中央高校基本科研业务费项目(2015QN16)资助~~
文摘
分别利用镀银的硅衬底和铂丝电极作为原电池反应中的阴极和阳极,基于金属辅助化学刻蚀采用宏观原电池的方法制备硅纳米线,深入研究了该法制备硅纳米线阵列的机理。通过改变电连接、镀银、刻蚀参数、硅衬底和光照等实验条件,系统地研究了所得硅纳米线形貌与其对应短路电流的关系,实验发现短路电流与硅纳米线长度有一定的对应关系。文章中所提出的模型旨在从根本上解决金属辅助化学刻蚀制备硅纳米线的机理。最后对这种方法所具有的潜在应用价值进行了展望和讨论。
关键词
半导体
微结构
电化学
硅纳米线
金属刻蚀
Keywords
Semiconductor
Microstructure
Electrochemistry
Silicon nanowire
Metal etching
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
嘧啶羧酸-Eu^(3+)/Tb^(3+)配合物合成和结构及荧光性质表征综合化学实验
贾莉
马艳子
马锴果
王海荭
李维红
孙豪岭
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2016
1
下载PDF
职称材料
2
基于宏观金属辅助化学刻蚀制备硅纳米线的研究(英文)
刘琳
李志胜
胡慧东
宋维力
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
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职称材料
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