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分子动力学中应变分析的统计矩方法及应用
被引量:
1
1
作者
卢果
王帅创
+1 位作者
张广财
许爱国
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期138-144,共7页
分子动力学模拟研究金属的力学性质,需要采用合适的应变分析方法研究金属的变形特征及其演化规律.金属材料复杂变形的局部应变特征缺乏简便有效的分析手段,整体变形也没有合适的描述方法.本文提出分子动力学中应变分析的统计矩方法,通...
分子动力学模拟研究金属的力学性质,需要采用合适的应变分析方法研究金属的变形特征及其演化规律.金属材料复杂变形的局部应变特征缺乏简便有效的分析手段,整体变形也没有合适的描述方法.本文提出分子动力学中应变分析的统计矩方法,通过统计矩建立了微观量和宏观应变的关联.在单晶单轴加载、纳米多晶剪切和冲击加载下的应用表明,矩应变分析方法可以很好的描述和评估材料的局部变形和整体变形特征,并通过应变不均匀度鉴别材料的局部塑性变形和弹性变形,是深入研究复杂结构材料变形机理的一种有效的通用分析方法.
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关键词
分子动力学
统计矩
应变分析
纳米多晶
原文传递
有限温度下位错环的脱体现象
2
作者
卢果
方步青
+1 位作者
张广财
许爱国
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期7934-7946,共13页
在FCC单晶铜中构造了滑移面为(111),伯格矢量为b=[112]/6的圆形不完全位错环.采用分子动力学方法模拟了该位错环在0—350K温度区间内的自收缩过程.模拟结果发现:零温度下,位错不能跨越Peierls-Nabarro势垒运动,迁移速度为0;50K温度下,...
在FCC单晶铜中构造了滑移面为(111),伯格矢量为b=[112]/6的圆形不完全位错环.采用分子动力学方法模拟了该位错环在0—350K温度区间内的自收缩过程.模拟结果发现:零温度下,位错不能跨越Peierls-Nabarro势垒运动,迁移速度为0;50K温度下,螺型和刃型位错具有基本相同的迁移速度;随温度增加,刃型位错具有较大迁移速度;温度较高时,位错核宽度进一步增加;小位错环周围的局部应力,引起4个脱体位错环;脱体位错环在原位错的应力作用下逐渐生长,原位错消失后,在自相互作用下收缩消失.这是与Frank-Read,L型、双交滑位错源(冷的,应力引起的)不同的新位错源机理(热激发机理);温度进一步提高时,新位错产生区域的局部应力梯度更大,脱体位错更早出现.
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关键词
单晶铜
位错环
分子动力学
位错源
原文传递
题名
分子动力学中应变分析的统计矩方法及应用
被引量:
1
1
作者
卢果
王帅创
张广财
许爱国
机构
北京应用物理与计算数学研究所实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期138-144,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:10102010
10775018和11075021)
中国工程物理研究院发展基金和实验室基金资助的课题~~
文摘
分子动力学模拟研究金属的力学性质,需要采用合适的应变分析方法研究金属的变形特征及其演化规律.金属材料复杂变形的局部应变特征缺乏简便有效的分析手段,整体变形也没有合适的描述方法.本文提出分子动力学中应变分析的统计矩方法,通过统计矩建立了微观量和宏观应变的关联.在单晶单轴加载、纳米多晶剪切和冲击加载下的应用表明,矩应变分析方法可以很好的描述和评估材料的局部变形和整体变形特征,并通过应变不均匀度鉴别材料的局部塑性变形和弹性变形,是深入研究复杂结构材料变形机理的一种有效的通用分析方法.
关键词
分子动力学
统计矩
应变分析
纳米多晶
Keywords
molecular dynamics
statistical moment
strain analysis
nanocrystalline
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
TG111 [金属学及工艺—物理冶金]
原文传递
题名
有限温度下位错环的脱体现象
2
作者
卢果
方步青
张广财
许爱国
机构
中国工程
物理
研究
院
研究
生部
中国矿业大学
北京应用物理与计算数学研究所实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期7934-7946,共13页
基金
国家自然科学基金(批准号:10702010和10775018)
中国工程物理研究院发展基金和实验室基金资助的课题~~
文摘
在FCC单晶铜中构造了滑移面为(111),伯格矢量为b=[112]/6的圆形不完全位错环.采用分子动力学方法模拟了该位错环在0—350K温度区间内的自收缩过程.模拟结果发现:零温度下,位错不能跨越Peierls-Nabarro势垒运动,迁移速度为0;50K温度下,螺型和刃型位错具有基本相同的迁移速度;随温度增加,刃型位错具有较大迁移速度;温度较高时,位错核宽度进一步增加;小位错环周围的局部应力,引起4个脱体位错环;脱体位错环在原位错的应力作用下逐渐生长,原位错消失后,在自相互作用下收缩消失.这是与Frank-Read,L型、双交滑位错源(冷的,应力引起的)不同的新位错源机理(热激发机理);温度进一步提高时,新位错产生区域的局部应力梯度更大,脱体位错更早出现.
关键词
单晶铜
位错环
分子动力学
位错源
Keywords
FCC-Cu
dislocation loop
molecular dynamics
dislocation source
分类号
O481 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
分子动力学中应变分析的统计矩方法及应用
卢果
王帅创
张广财
许爱国
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
原文传递
2
有限温度下位错环的脱体现象
卢果
方步青
张广财
许爱国
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
原文传递
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