退火处理对SnO_x薄膜气敏性能的影响

采用直流反应溅射方法制备SnO2气敏薄膜，并且在200℃-1000℃的氧化性气氛中进行退火处理。本文研究了退火工艺对二氧化锡薄膜的相结构和表面形貌的影响，并采用XPS表征了不同退火工艺下薄膜表面化学成分的变化。另外，比较了退火工艺对薄膜的电阻和气敏性能影响。实验证明：退火处理对于薄膜的O／Sn影响不大。经过退火处理的薄膜样品，基本具有完整的金红石结构，随着退火温度的增加，薄膜表面孔隙增加，表面电阻和对氢气的敏感性都显著提高。