浅谈后摩尔定律时期微电子技术的发展

根据理论研究和国际半导体技术发展路线图(ITRS),传统的硅基CMOS正在接近其极限。为了使微电子技术得以继续发展,最近提出了许多基于多种不同机制的新兴器件,它们可能作为下一代的微电子技术的支柱。但是,作为经典的、二能级开关,这些新兴器件也都受到量子力学和热力学的限制。为了克服这两个基本限制,更大的提高ULSI系统的性能,需要发展功能比二值开关更高的器件或者提出新型的、不同于传统的信息处理系统模型。本文将从器件功耗延迟积的角度来讨论这个问题。

SoC原型验证技术的研究

快速系统原型技术已成为SoC(片上系统)验证的主要手段之一,但大多数的原型描述仍使用Verilog/VHDL语言,描述效率低。以软件编译式系统设计(SCSD)为基础,提出了SoC的原型验证流程,用Handel-C语言描述SoC原型,并直接实现在原型验证硬件上;用SCSD的软件工具、RC1000和RC200硬件平台搭建了一个SoC原型验证系统的样机,并在样机上完成了Lena图像处理SoC的原型验证;在反复试验的基础上,改进了SoC原型验证流程,并设计出了新的原型电路板。

新型微波SiGe HBT集成电路研究概况

本文扼要阐述了SiGe材料、SiGe HBT器件及电路的研究发展情况。展示了SiGe HBT的良好商业前景。对我所的SiGe技术发展水平作了简要介绍。

开关电容共模反馈理论分析

长期以来,开关电容共模反馈被广泛应用于全差分OTA中,但缺乏足够的理论分析,以至于出现设计的盲目性。本文在前人的理论分析基础上创新的提出了新的开关电容共模反馈的连续时间等效共模和差模分析模型,对开关电容共模反馈电路的共模和差模特性进行分析,进而为开关电容共模反馈电路设计提供了强有力的理论支持。