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像素碲锌镉探测器低噪声读出芯片设计与测试
被引量:
2
1
作者
罗杰
邓智
+2 位作者
刘以农
王光祺
李红日
《清华大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期917-921,共5页
为了解决像素碲锌镉探测器的高密度和低噪声读出问题,设计了一款8通道的低噪声前端读出芯片。每个通道由两级电荷灵敏前放、4阶半Gauss成形电路和输出驱动放大器组成。芯片采用了0.35μm CMOS工艺完成了流片测试,单通道的电荷增益为65~...
为了解决像素碲锌镉探测器的高密度和低噪声读出问题,设计了一款8通道的低噪声前端读出芯片。每个通道由两级电荷灵敏前放、4阶半Gauss成形电路和输出驱动放大器组成。芯片采用了0.35μm CMOS工艺完成了流片测试,单通道的电荷增益为65~260mV/fC,成形时间调节范围为1~4μs,测得的最好等效噪声电荷为200e。连接碲锌镉探测器后测得241 Am和57 Co全能峰的能量分辨率分别为9.6%和5.9%。初步测试结果表明:芯片的各项功能都正常,噪声的实测结果与仿真结果比较吻合,但探测器的漏电流以及输入端寄生电容使得其电子学噪声显著增加。
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关键词
碲锌镉
室温半导体探测器
低噪声
专用集成电路(ASIC)
原文传递
题名
像素碲锌镉探测器低噪声读出芯片设计与测试
被引量:
2
1
作者
罗杰
邓智
刘以农
王光祺
李红日
机构
清华大学工程物理系
北京滨松光子技术有限公司
出处
《清华大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期917-921,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(10735060)
文摘
为了解决像素碲锌镉探测器的高密度和低噪声读出问题,设计了一款8通道的低噪声前端读出芯片。每个通道由两级电荷灵敏前放、4阶半Gauss成形电路和输出驱动放大器组成。芯片采用了0.35μm CMOS工艺完成了流片测试,单通道的电荷增益为65~260mV/fC,成形时间调节范围为1~4μs,测得的最好等效噪声电荷为200e。连接碲锌镉探测器后测得241 Am和57 Co全能峰的能量分辨率分别为9.6%和5.9%。初步测试结果表明:芯片的各项功能都正常,噪声的实测结果与仿真结果比较吻合,但探测器的漏电流以及输入端寄生电容使得其电子学噪声显著增加。
关键词
碲锌镉
室温半导体探测器
低噪声
专用集成电路(ASIC)
Keywords
CdZnTe
room temperature semiconductor detector
lownoise
application specific integrated circuit (ASIC)
分类号
O5 [理学—物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
像素碲锌镉探测器低噪声读出芯片设计与测试
罗杰
邓智
刘以农
王光祺
李红日
《清华大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
原文传递
已选择
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导出题录
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参考文献
引证文献
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