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高速ADC中CMOS比较器的改进
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作者 李彦旭 徐立新 +1 位作者 崔占忠 林蔚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期68-70,64,共4页
在对用于高速 A D C 的 C M O S 传统比较器分析的基础上,为进一步减小其失调电压,本文给出了补偿电路的结构框图,并进行了理论上的分析和实验仿真。
关键词 ADC 失调电压 CMOS比较器
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可自校正失调电压的BiCMOS锁存比较器设计
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作者 李彦旭 崔占忠 +1 位作者 徐立新 陈曦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期67-69,共3页
在对传统CMOS锁存比较器分析的基础上,设计了一种可自校正失调电压的BiCMOS锁存比较器,它既具有双极型电路快速、输入失调电压低和大电流驱动能力,又具备CMOS电路低功耗和高集成度的特性,因而它们特别适用于高速缓冲数字信息系统和其它... 在对传统CMOS锁存比较器分析的基础上,设计了一种可自校正失调电压的BiCMOS锁存比较器,它既具有双极型电路快速、输入失调电压低和大电流驱动能力,又具备CMOS电路低功耗和高集成度的特性,因而它们特别适用于高速缓冲数字信息系统和其它便携式数字设备。 展开更多
关键词 双极互补金属氧化物半导体 输入失调电压 锁存比较器
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