高开关速度优化的新一代IGBT系列

最近几年,分立的IGBT已在不同的领域广泛应用,诸如传动用逆变器、电感性加热、焊接、太阳能发电用逆变器和U PS。这些应用装置在某些方面仍有本质上的不同要求,需要应用优化的专用器件。本文阐述第三代1200V高速器件("HS3"产品系列),它是专为焊接,太阳能发电逆变器和UPS等高频应用设计的。这些应用的典型工作频率范围是20k～0kHz,要求开关损耗低于典型的传动应用的损耗,后者在10kHz甚至在更低范围中应用。但是,饱和电压V_(CE,sat)在整个损耗中仍起重要的作用,为此要找到开关损耗和传导损耗之间良好的平衡。文中提供了新产品的特性并和市场上的其他产品系列做了比较。这些新产品的效益在特定装置的应用中获得了验证。

1200V、550A碳化硅DMOSFET对偶模块的特性

碳化硅[SiC]优越的材料性质为电力电子器件提供了比传统的硅基器件更优越的性能。最近开发了一种1200V、50A的SiC DMOSFET已用于开关电路。在此基础上,又研制了一种1200V,550A完全用SiC的对偶模块。本文阐述其中每个开关用11个SiC DMOSFET和11个SiC JBS*组成的先进对偶模块的实验特性。