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题名面向21世纪的微电子技术课程教学改革
被引量:1
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作者
李哲英
张敬怀
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机构
北方交通大学电子电路实验中心
北京电子科技学院电子技术实验室 北京
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出处
《实验技术与管理》
CAS
1996年第4期56-59,共4页
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文摘
自九十年代以来,按摩尔定律发展的集成技术使微电子技术及其应用技术进入了一个崭新的时代。以微机、智能化通信系统和控制系统为代表,微电子技术已经成为当今社会生活和工程技术的基本支柱,成为了21世纪科学技术发展的主要基础之一。微电子技术及其应用技术已经成为工科院校的基本教学内容(包括非电类学科),同时,也对相关的技术基础课程产生了不可低估的影响。
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关键词
高等院校
微电子技术课程
教学改革
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分类号
G642
[文化科学—高等教育学]
TN4-43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名MOS管短沟道效应及其行为建模
被引量:2
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作者
冼立勤
高献伟
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机构
北京电子科技学院电子技术实验室
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出处
《实验室研究与探索》
CAS
2007年第10期14-16,共3页
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基金
北京市高等学校教育教学改革试点项目(1999068)
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文摘
随着集成电路工艺的不断革新,集成电路器件的尺寸不断减小,当MOS管的尺寸小到一定程度时,会出现短沟道效应,此时MOS管特性与通常相比有很大不同。本文介绍了描述短沟道MOS管特性的一些公式,然后利用硬件描述语言VHDL-AMS对短沟道MOS管进行了行为建模,并利用混合信号仿真器SMASH5.5对模型进行了仿真,将短沟道MOS管模型特性与一般模型特性作了比较。
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关键词
VHDL—AMS
短沟道效应
MOS管
行为建模
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Keywords
VHDL-AMS
short-channel effects
MOSFET
behavioral modeling
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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