活跃在社区的科普志愿者——上半年北京电子管厂老科协科普活动

2014年2月到6月期间,北京电子管厂老科协在总会领导下,开展了系列科普活动;涉及到北京东电实业开发公司、酒仙桥地区的五个社区,将台路地区七个社区。组织了15次科普讲座,听讲的人次有480余人参加了活动。科普内容有：

措施和宣传齐举 安全与生产并进——北京电子管厂正向“九无”厂跃进

北京电子管厂今年生产任务和試制任务都十分艰巨。加上設备复杂、新工人多,因此,安全技术工作对这个厂説來今年比往年更为重要。如果搞得不好,不仅人員伤亡,而且势必会影响生产的大跃进。正因如此,該厂領导上十分重視跃进中的技安工作,采取了各种有效措施。由于乘大跃进这一有利条件密切注意了安全工作,因而今年第一季度与去年同朋比較,虽然生产任务增加了6倍多,但工伤事故率却相对减少了8.2％。在第一季度中,很多車間保証了安全生产,就連去年发生工伤事故8次的木工車间一次事故也未发生。

管理工作日日新——北京电子管厂工厂管理工作调查报告

北京电子管厂是北京市工业战綫上一个全面跃进的紅旗厂。生产搞的好,管理工作也做的好。这个苏联設計的現代化大工厂,自一九五六年十月开工生产以来,一直保持着“月月紅,季季升,年年跃”的局面。几年来,北京电子管厂在党委的領导下,根据形势发展的要求,坚持政治挂帅,大搞群众运动,在大抓生产的同时,大抓管理工作。一九五八年对原有的規章制度,采取了大鳴大放大字报大辯論的方法,进行大破大立。

北京电子管厂的跃进红旗越举越高

北京电子管厂自从贯彻党的八届八中全会决议,反右倾、鼓干劲以来。迅速地出现了一个增产节约运动的新高潮。这个高潮的特点是:气势大,干劲足,苦干与巧干相结合,轰轰烈烈的群众运动和细致的管理工作相结合。今年八月份,生产条件比七月份坏的多,大雨不停,使蒸气停工十天,天气又热又潮,但是由于职工们思想觉悟提高了,鼓足了干劲,产值比七月份倒提高了9％,产量提高了10％,成品率提高了8.6％。

电子管阴极和光刻栅极的高频脉冲等离子弧钎焊

采用高频脉冲微束等离子弧做为电子管阴极和光刻栅极装配钎焊工艺的热源,提高了钎缝质量和产品的可靠性.

真空微电子二极管及微位移传感器的研究

首次用电荷模拟法计算了真空微电子二极管及真空微电子微位移传感器的场致发射阴极与阳极间的电场分布,进而计算了真空微电子二极管的电流一电压特性和微位移传感器的电流——位移(即阴、阳极间距)的关系曲线。模拟了两种结构的场致发射阴极:圆锥形和劈形。并用测试精度可达4nm 的水槽法模拟实验对计算结果进行了验证,理论计算与实验结果符合地很好。

电子束电压衬度机理及其应用

扫描电子显微镜(SEM)广泛地利用于半导体表面局部电位的测定,电学功能试验和大规模集成电路失效分析。本项工作首先叙述电子束与集成电路的相互作用,二次放射机理和电压衬度的测量原理。本文讨论了各种电压衬度法,也叙述了一种新的电压衬度法,称它为电子束感生电压衬度法。这种方法对具有钝化层表面的集成电路的性能测量具有重要意义。本文讨论了电子束感生电压衬度的原理,给出了获得表面电位分布信息的各种分析方法和谱仪的结构。关于PMOS和CMOS失效分析的扫描电镜研究表明,该方法对于大规模集成电路失效分析是一种很有价值的分析技术。

K_2S_2O_8/NaHSO_3引发丙烯酸甲酯与玉米淀粉接枝共聚的研究

本文研究了K_2S_2O_8/NaHSO_3引发丙烯酸甲脂与玉米淀粉接枝共聚的反应规律,初步探讨了此接枝共聚物的成型加工、力学性能和生物降解等。

国内外LCD发展动向

介绍了世界LCD市场发展势头和LCD技术发展动向，综述了世界主要国家和地区LCD产业现状和发展趋势，详述了我国液晶显示技术发展和产业现状。

两步快退火改善InP（Fe）中MeV硅注入层的品质

２ＭｅＶ、（１～２）×１０１４ｃｍ－２硅离子注入ＳＩ－ＩｎＰ（Ｆｅ）造成负的（－３．４×１０－４～－２．９×１０－４）晶格应变，光快速退火的激活能为０．２６ｅＶ。８８０℃／１０ｓ退火可得到１００％的施主激活。间断两步退火（３７５℃／３０ｓ＋８８０℃／１０ｓ）使注入层单晶恢复完全，较大程度（２０％～３５％）地改善了载流子的迁移率。四能量叠加注入已能在０．５～３．０μｍ的深度区域形成满足某些器件要求的低电阻（７．５Ω）高浓度［（２～３）×１０１８ｃｍ－３］的ｎ型导电层。

两步法腐蚀硅锥阴极阵列的工艺研究

详细研究了利用硅的各向异性腐蚀、各向同性腐蚀制备硅锥阴极阵列的工艺。采用快速腐蚀与缓蚀削尖两步工艺，制备出了均匀、尖锐的硅锥阵列。其阵列密度可达106／cm2，硅锥曲率半径可做到20nm。

利用计算机求钻机旋转件转动惯量

文章阐述了利用电子计算机求钻机旋转件转动惯量的必要性。介绍了计算原理及计算程序的结构设计。将计算结果和实验值比较后证明,其误差已控制在2％以内,可推荐给设计和研究单位使用。

PMMA的离子束曝光特性

用B^+、F^+离子束曝光PMMA,实验得到灵敏度为(1-8)×10^(12)离子/厘米~2,饱和曝光深度t由能量损失的深度分布范围决定,且t≌R_p+2△R_p,阈值能量8_m=(30-330)焦耳/厘米~3,并估算了本实验条件下离子束曝光PMMA的分辨率d～(25-100)纳米.XPS分析结果表明,在剂量D>1×10^(13)离子/厘米~2时,PMMA表层中含氧量才显著减少,由此推想在离子束曝光常用剂量范围内,PMMA发生降解反应时并不伴随含氧侧基的脱落.

用共振核反应^(27)Al(p,γ)^(28)Si和SOS样品研究质子在固体Si中能损的同素异形效应

本文首次用具有衬底的薄膜Si样品SOS和共振核反应^(27)Al(p,γ)^(26)Si,于能量E_p=774keV和992keV,系统地研究了质子在固体中能损的结构效应问题。实验结果表明,对于MeV级的质子束,在Si元素固体的单晶、多晶、非晶中电子阻止本领有明显的差别,相对偏差至少大于5％,这个实验的测量误差小于3％。

降糖粉对211例Ⅱ型糖尿病患者疗效观察

目前国内外多着眼于研究多种不同比例营养素和高膳食纤维的糖尿病食疗方案。我们选用缓慢释放碳水化合物的低血糖指数的天然莜面,豆面和膳食纤维组成的降糖粉作为糖尿病患者的疗效食品。对211例糖尿病人替代部分或全部进行了观察,现报告如下: 临床资料单组饮食治疗组为门诊新诊断的Ⅱ型糖尿病患者,普通饮食控制一周饥饿不能坚持。

中药降低联苯双酯停药后谷丙转氨酶反跳的观察

观察谷丙转氨酶(SGPT)升高患者100例,分为单纯组和联合组,两组各50例。单纯组单用联苯双酯(BDD)滴丸,联合组除用联苯双酯滴丸外,另加入清热解毒化瘀的中药。经治SGPT复常后,单纯组反跳率为47.5％。联合组为11.1％,两组比较有极显著差异(P<0.01)。

镀铂溶液的稳定性

离解,因而破坏了电解液的稳定性,致使电解液的使用寿命极短。这是造成镀铂电解液不稳定的原因之二。例如,由氯铂酸、磷酸氢二铵和磷酸氢二钠所组成的酸性电解液,靠加入氯铂酸来补充铂离子的消耗。这样,在电解液中氯化物迅速积集,它抑制了氯铂酸的电离,破坏了电解液的稳定性。铂价格昂贵,研究镀铂工艺的稳定性,使之能长期使用,提高经济效益就成为很有必要的了。

异质结晶体管的设计与性能

本文较详细地讨论了异质结晶体管的设计原理、材料选用和结构设计。在能带设计方面对宽发射区、缓变基区和多种收集区分别进行了讨论,比较了不同能带结构的优缺点。文章以晶体管的特征频率f_T和最高振荡频率f_(max)为例分析和比较了Ge/GaAs,Si/α-Si,GaAs/GaAlAs,InGaAsP/InP四种异质结晶体管的频率特性潜力。文章最后对目前常用的台面结构、平面结构、倒置结构作了介绍,并分析了它们的优缺点,简介了异质结的发展现状和发展方向。

平面型磷化铟双极型晶体管

本文提出并制成一种平面型InP双极型晶体管.其基区采用Zn扩散,发射区采用Si离子注入,结果表明晶体管的共发射极电流增益h_(FE)=20,器件可在很小电流下工作(I_C=1μA,h_(FE)=5).由于器件结构和工艺类似Si平面晶体管,预计它可广泛应用于InP高速电路和光电单片集成电路.

一种新型的半导体氢离子活度测量器

离子敏感场效应器件(简称ISFET),是近年来发展的一种测定溶液中离子活度的半导体敏感器件。它将半导体表面场效应原理和离子敏感膜的电化学特性两者相结合,而设计成具有体积小、阻抗低、响应时间快、取样少、操作方便、灵敏度高、稳定可靠和全固体化等优点的新型功能器件。在生物、医学、化工、环保、水文和地质等领域里有着广泛的应用前景。H^+-ISFET是这类器件中最基本、最重要的一种。