真空电子器件用Al_2O_3陶瓷

本文综合了Al2O3陶瓷在真空电子器件中的应用背景、沿革和前景，根据应用的不同，提出了金属化用陶瓷和非金属化用陶瓷两种陶瓷的分类方法，两者显微结构迥然不同，前者是粗晶结构（D平=10～20μm），而后者则是微晶结构（D平=2～3μm）。

电子注中的束缚电子对

本文对自由电子受激辐射器件与电子直线加速器中的电子注与电磁场的相互作用进行了量子力学分析,认为电子注的电子结构应由束缚电子对组成.电子对的自旋为零,具有Bose子性质.

高性能六极型铯束管及其特性的研究

本文描述了一种新设计的六极型铯束管及其特性的研究。这种铯束管采用了“点源”-“点靶”的六极束光学配置,并用长约27cm的无多模干扰的同轴谐振器为Ramsey腔。研究表明,与当今商品铯束管相比,它具有效率高、谐振曲线好、功率频移小以及提高稳定度、准确度的潜力大等优点。

碱金属C_s复盖于过渡金属W的吸附系统功函数研究

本文借助于一种改进的薄膜LAPW(线性迭加平面法)的基函数描写方法以及薄膜jellium-slab模型计算了具有三层slab的C_s-W吸附系统的功函数,得到了一组与实验更为符合的结果,即清洁表面功函数是4.89eV(近期计算值是5.4eV),这与S.Ohnishi等计算的结果(三层4.82eV,五层4.62eV,七层4.64eV,九层4.58eV)一致,功函数约在θ_1≈0.21处取极小值,其值为1.35eV,较近期结果(约0.8eV)与实验值(1.77eV)更为接近。本文着重分析了φ-θ曲线的形成与5d电子态变化及电子转移之间的关系.

薄膜LAPW方法的基函数研究与吸附系统功函数

本文提出了一种适应于jellium-slab模型的薄膜LAPW基函数的多能量参数函数与微分并用的描述方法,通过计算具有三层slab的Cs/W吸附系统,对这种方法的稳定性、精确性作了检验并进行了分析和讨论,总结了各真空基函数在总波函数中的权重的规律,即只有K_(mn)~2较小的几个真空基函数对总波函数的贡献才是主导的,这对LAPW方法的研宄有一定的参考意义。

CdS红外λ/4波片

根据CO_2相干激光雷达系统的要求,用CdS单晶制作了10.6μm的四分之一波片,并建立了精密测试系统,对所研制的波片进行了性能测试。

Cs/W吸附过程中功函数、能带和表面态及其变化关系

本文利用适应于Jellium/slab模型的薄膜LAPW基函数的多能量函数与微分并用的描述方法,计算了具有三层slab的Cs-W吸附系统的功函数,能带和表面态及其随吸附度的变化,分析了它们的变化原因及其间关系,从而为吸附过程中所发生的量子过程提供了一幅比较清晰的图景.

分离电荷在碱金属过渡金属吸附中的影响——Jellium球/Slab模型

在计算中发现,Jellium/slab模型中Jellium减小了吸附原子对价电子的吸引能力,使得φ—θ曲线在极小处大大低于实验值,特别是Cs/Ir系统。本文提出了Jellium球/slab模型,以模拟实际分离电荷对电子的吸引作用,检验结果表明,分离电荷对功函数将给出大约0.4eV到0.8eV的贡献,这使得Cs/W及Cs/Ir吸附系统的计算φ—θ曲线和结果与实验趋于一致,但更重要的是使我们认识到了分离电荷影响的重要性。

热阴极表面发射均匀性研究

为探测热阴极发射的非均匀性,并探索发射不均匀现象与阴极表面成份分布之间的关系,通过计算和实验,建立了阳极小孔扫描法,获得了阴极发射分布状况的信息。在自行研制的俄歇电子能谱仪分析室内“原位”进行了发射分布与成份分布的对照测量分析。观察到由于阴极制备及工艺处理所造成的发射非均匀分布及其与Ba、O在W表面覆盖的程度和Ba、O结合状况的对应关系。发现并解释了由于阴极表面不恰当工艺处理造成残余浸渍物堆积而引起局部发射降低的现象。

如何解决科技队伍的“老化”——一个研究所的实践

一、对我所科技队伍的预测科技队伍的集体研究能力,是科学能力的重要因素,科技队伍要保持一定的数量,同时还要有一定的质量。因为科学劳动与生产劳动不同,科学劳动是一种创造性劳动,它要在前人工作的基础上探索新领域、提出新机理、研制新产品。这就要求研究者有广博的知识、丰富的实践经验和大量的情报资料,要能灵敏地接受信息和牢固地存贮信息,并具有高强度的思维能力和综合判断能力。这些能力都与年龄的增长有密切关系,尤其是信息的贮存能力(记忆力)与年龄关系更为密切。虽然每个人的情况不尽相同,但总有一个创造能力的最佳年龄区。按生理学观点,人超过一定年龄(平均40～50岁)以后,记忆力逐渐衰退。

Cs/Ir(001)吸附系统的功函数与电子转移

本文借助对真空区波函数的多能量参数函数与微分并用法和jellium球/slab模型,计算了Cs吸附于Ir(001)表面的功函数,得到了一条改善的φ-Q曲线。对于清洁表面,功函数由从前的6.6eV减小到5.84eV,后者更符合实验(～5.5eV)。在极小处,功函数由约0.2eV上升到1.02eV,而实验值是1.3eV。此外,还给出了真空势分布及jellium与slab间的电子转移随Q的变化关系。

Cs/W吸附过程中价电子与5d电子的相互作用

本文基于LAPW方法和jellium/Slab模型对Cs/W吸附系统的计算结果,给出了Cs/w系统中各种电荷密度等高图,这不仅解释了Φ-θ曲线及能态变化,还使我们了解到晶体原子内电子分布及其因吸附度变化而引起的“风云变幻”的直观图景.说明了5d电子在吸附过程中的重要作用,这对建立相应的物理概念及图象是非常重要的.

脉冲光泵D_2O-CH_3F混合气远红外激光器

用TEA-CO_2激光器脉冲光泵D_2O-CH_3F混合气,获得了D_2O发射的66微米、114微米和385微米以及CH_3F发射的496微米的远红外激光。介绍了D_2O-CH_3F混合气远红外激光器的参量特性,并与单元气体的远红外激光器进行了比较。