立方氮化硼晶体的电学性质与电流控制微分负阻

研究了非故意掺杂的n型cBN晶体的电学性质．所研究的cBN晶体是由六角氮化硼在高温高压下以镁粉为催化剂转化而来．在室温下，测量了cBN晶体的伏安特性，为非线性伏安特性．当电场强度在10^5～1.5×10^5V／cm范围内时，cBN晶体发生电击穿．同时，cBN晶体发出波长为380～400nm的蓝紫光．继续测量cBN晶体伏安特性，发现cBN晶体出现电流控制型微分负阻．这些实验现象是可以重复的．