碲化镉纳米线的制备和生长机理分析

利用物理气相沉积方法,在S i衬底上制备了CdT e纳米线和纳米晶.X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究表明所得产物为四方结构CdT e.CdT e纳米线的直径约20nm,长度约为几个微米,纳米晶粒径约为100 nm.分析了载流气体流速、温度等因素对过饱和度的影响,进而影响低维纳米材料的形貌结构.

Dy离子注入CdTe薄膜的结构和喇曼光谱分析

利用X射线衍射(XRD)和喇曼(R am an)光谱对在陶瓷基底上近距离升华(CSS)制备的纯CdT e薄膜以及稀土镝(D y)离子5×1014cm-2高剂量注入的CdT e薄膜进行结构和喇曼特性分析,并讨论了离子注入后的退火效应.研究结果表明,退火处理基本消除了离子注入引起的的损伤,稀土D y离子的掺入改善了CdT e薄膜的结晶性能,增强了CdT e薄膜的喇曼活性.同时喇曼光谱的结果给出了CdT e薄膜中T e沉积物的存在情形.