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抗辐射晶体管3DK9DRH的贮存失效分析
被引量:
4
1
作者
武荣荣
黄姣英
高成
《现代电子技术》
2013年第6期109-112,共4页
为了找到并纠正抗辐射晶体管3DK9DRH贮存失效的原因,利用外部检查、电性能测试、检漏、内部水汽检测、开封检查等试验完成了对晶体管3DK9DRH的一种贮存失效分析。结果表明晶体管存在工艺问题,内部未进行水汽控制,加上内部硫元素过高,长...
为了找到并纠正抗辐射晶体管3DK9DRH贮存失效的原因,利用外部检查、电性能测试、检漏、内部水汽检测、开封检查等试验完成了对晶体管3DK9DRH的一种贮存失效分析。结果表明晶体管存在工艺问题,内部未进行水汽控制,加上内部硫元素过高,长期贮存后内部发生了氧化腐蚀反应,从而导致晶体管功能失效。对此建议厂家对晶体管的生产工艺进行检查,对水汽和污染物如硫元素等加以控制,及时剔除有缺陷的晶体管。
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关键词
失效分析
失效机理
晶体管
辐照加固
下载PDF
职称材料
题名
抗辐射晶体管3DK9DRH的贮存失效分析
被引量:
4
1
作者
武荣荣
黄姣英
高成
机构
北京航空航天大学
可靠性
与系统
工程
学院
北京航空航天大学可靠性与技术环境工程技术重点实验室
出处
《现代电子技术》
2013年第6期109-112,共4页
基金
国家国防科技工业局技术基础科研项目资助(Z132012A001)
国家自然科学基金项目资助(61201028)
+1 种基金
总装军用电子元器件共性课题资助(1107GK0032
1107GK0033)
文摘
为了找到并纠正抗辐射晶体管3DK9DRH贮存失效的原因,利用外部检查、电性能测试、检漏、内部水汽检测、开封检查等试验完成了对晶体管3DK9DRH的一种贮存失效分析。结果表明晶体管存在工艺问题,内部未进行水汽控制,加上内部硫元素过高,长期贮存后内部发生了氧化腐蚀反应,从而导致晶体管功能失效。对此建议厂家对晶体管的生产工艺进行检查,对水汽和污染物如硫元素等加以控制,及时剔除有缺陷的晶体管。
关键词
失效分析
失效机理
晶体管
辐照加固
Keywords
failure analysis
failure mechanism
transistor
radiation-hardening
分类号
TN321-34 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
抗辐射晶体管3DK9DRH的贮存失效分析
武荣荣
黄姣英
高成
《现代电子技术》
2013
4
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