电化学沉积法制备MnO2纳米棒阵列及电容性能

采用阳极电化学沉积法在镍片上制备二氧化锰(MnO2)纳米棒阵列。用XRD、SEM、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)对MnO2阵列进行分析,用恒流充放电与循环伏安测试研究电化学电容性能。制备的MnO2纳米棒直径约为500nm,长度约为5μm,由相互连接的超薄纳米片构成,具有较好的电容性能。MnO2阵列电极在电流为1A/g、电压为0.05~1.00V时的比电容达152.0F/g,循环1000次的比电容仍保持在146.9F/g。纳米棒阵列电极具有纳米多孔的结构,有利于电解质离子的快速迁移,从而获得较好的电容性能。

沉积电压对纳米多孔氧化锰膜电容性能的影响

采用阳极电化学沉积法在镍片上沉积纳米多孔氧化锰膜。利用XRD和SEM对氧化锰膜进行物性分析,利用线性伏安扫描、循环伏安和恒流充放电法进行电化学电容性能测试。研究表明在0.5 V(vs. SCE)沉积的氧化锰膜呈现出纳米多孔的纳米花形貌,当沉积电压增加时,氧化锰纳米片的颗粒的尺寸会变小,逐渐转变为由氧化锰纳米纤维构成的纳米多孔膜;所制备的氧化锰膜均为非晶相。电化学测试表明所制备的氧化锰膜电极具有较好的电容性能,其中在0.5 V(vs. SCE)沉积的氧化锰膜比电容最高,在0.3 mA/cm^2的充放电电流密度下高达189 F/g,电流密度增加到10 mA/cm^2时比电容为83 F/g。