采用均相共沉淀法制备出掺铌纳米ITO粉末，粉末经模压、高温烧结成高密度ITO靶（相对密度达99％以上），用直流磁控溅射法制备掺铌铟锡氧化物薄膜（Indium Tin Oxides简称ITO膜）。通过样品电阻实时监测装置，研究分析了溅射成膜时电阻...采用均相共沉淀法制备出掺铌纳米ITO粉末，粉末经模压、高温烧结成高密度ITO靶（相对密度达99％以上），用直流磁控溅射法制备掺铌铟锡氧化物薄膜（Indium Tin Oxides简称ITO膜）。通过样品电阻实时监测装置，研究分析了溅射成膜时电阻变化规律及真空环境等对样品光电性能的影响。采用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计、X射线衍射（XRD）及电子能谱仪（EDX）对样品进行了测试分析，结果表明：掺铌ITO膜的电阻率最小可达到2．583×10^-4 Ω·cm，可见光范围（400—800nm）平均透过率最高可达到93％。展开更多
文摘采用均相共沉淀法制备出掺铌纳米ITO粉末，粉末经模压、高温烧结成高密度ITO靶（相对密度达99％以上），用直流磁控溅射法制备掺铌铟锡氧化物薄膜（Indium Tin Oxides简称ITO膜）。通过样品电阻实时监测装置，研究分析了溅射成膜时电阻变化规律及真空环境等对样品光电性能的影响。采用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计、X射线衍射（XRD）及电子能谱仪（EDX）对样品进行了测试分析，结果表明：掺铌ITO膜的电阻率最小可达到2．583×10^-4 Ω·cm，可见光范围（400—800nm）平均透过率最高可达到93％。
